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    Analysis and Simulation of a Mid-Infrared P^+-InAs~0~.~5~5Sb~0~.~1~5P~0~.~3~0/n^0-InAs~0~.~8~9Sb~0~.~1~1/N^+ - InAs~0~.~5~5Sb~0~.~1~5P~0~.~3~0 Heterojunction Photodetector Grown by LPE
    Chakrabarti, P. ; Krier, A. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 50 (2003), Heft 10, S. 2049-2058
    Online serialPeriodical
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    Wie komme ich dran?
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    Analysis and simulation of a mid-infrared P[superscript +]-InAs[subscript 0.55]Sb[subscript 0.15]P[subscript 0.30/n[superscript 0]-InAs[subscript 0.89]Sb[subscript 0.11]/N[superscript +]-InAs[subscript 0.55]Sb[subscript 0.15]P[subscript 0.30] double heterojunction photodetector grown by LPE
    Chakrabarti, P. ; Krier, A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 50 (2003-10-01), Heft 10, S. 2049-2058
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    An LPE grown InP based optothyristor for power switching applications
    Lis, Robert J. ; Zhao, Jian H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 41 (1994-05-01), Heft 5, S. 809-813
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Analysis and Simulation of a Mid-Infrared p [sup +]-InAs[sub 0.55]Sb[sub 0.15]P[sub 0.30]⁄n[sup 0]-InAs[sub 0.89]Sb[sub 0.11⁄N[sup +]-InAs[sub 0.55]Sb[sub 0.15]P[sub 0.30] Double Heterojunction Photodetector Grown By LPE.
    Chakrabarti, P. ; Krier, A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 50 (2003-10-01), Heft 10, S. 2049-2058
    Online academicJournal
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    Volltext
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    academicJournal
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    academicJournal
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    Analysis and simulation of a mid-infrared p/sup +/-InAs/sub 0_55/Sb/sub o_15/P/sub 0_30//n/sup 0/-InAs/sub 0_89/Sb/sub 0_11//N/sup +/-InAs/sub 0_55/Sb/sub 0_15/P/sub 0_3-/ double heterojunction photodetector grown by LPE
    Chakrabarti, P. ; Morgan, A. F. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 50 (2003-10-01), S. 2049-2058
    Online unknown
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    An LPE grown InP based optothyristor for power switching applications
    McAfee, S. ; Zhu, L.D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 41 (1994-05-01), S. 809-813
    Online unknown
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    Nachschlagewerk
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    High-efficiency GaP green LED's by Zinc diffusion into an n-LPE layer
    Naito, M. ; Iwamoto, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 24 (1977-07-01), S. 951-955
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    The role of nitrogen on the degradation behavior in LPE and VPE GaP:N light emitting diodes
    Albrecht, H.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 30 (1983-04-01), S. 259-263
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Comparison of Hg0.6Cd0.4Te LPE layer growth from Te-, Hg-, and HgTe-rich solutions
    Speerschneider, C.J. ; Maciolek, R.B. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 27 (1980), S. 24-28
    Online unknown
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    Yellow—Green In1-xGaxP and In1-xGaxP1-zAszLED's and electron-beam-pumped lasers prepared by LPE and VPE
    Ermakov, O.N. ; Golovanov, Y. A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 26 (1979-08-01), S. 1190-1193
    Online unknown
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