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    Line-Edge Roughness Effects on the Electronic Properties of Armchair Black Phosphorene Nanoribbons.
    Moez, Mahsa ; Karamitaheri, Hossein
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-10-01), Heft 10, S. 5114-5119
    Online academicJournal
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    Interconnect Technology/System Co-Optimization for Low-Power VLSI Applications Using Ballistic Materials.
    Pei, Zhenlin ; Dutta, Arin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-07-01), Heft 7, S. 3513-3519
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Surface-Roughness-Limited Mean Free Path in Silicon Nanowire Field Effect Transistors.
    Jung, Hyo-Eun ; Shin, Mincheol
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-06-01), Heft 6, S. 1861-1866
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Novel Gate-All-Around High-Voltage Thin-Film Transistor With T-Shaped Metal Field Plate Design.
    Tsai, Jhen-Yu ; Hu, Hsin-Hui
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-03-01), Heft 3, S. 882-887
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
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    A Physics-Based Compact Model for the Static Drain Current in Heterojunction Barrier CNTFETs—Part II: Scattering, High-Field Effects, and Model Verification
    Annamalai, Manojkumar ; Schroter, Michael
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024), Heft 1, S. 30-36
    Online serialPeriodical
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    Integrating First-Principles-Based Non-Fourier Thermal Analysis Into Nanoscale Device Simulation
    Sheng, Yufei ; Wang, Shuying ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024), Heft 3, S. 1769-1775
    Online serialPeriodical
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    Volltext
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    academicJournal
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    Study on Degradation Mechanisms of Thermal Conductivity for Confined Nanochannel in Gate-All-Around Silicon Nanowire Field-Effect Transistors.
    Lai, Junhua ; Su, Yali ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-10-01), Heft 10, S. 4060-4066
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    The Analysis of Multiwall Carbon Nanotubes as Through Silicon Via by Equivalent Circuit Model at Different Operating Temperatures in Multilayers Stacking Scheme
    Chan, Y. C. ; Basu, Nilabh ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023), Heft 6, S. 3360-3364
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Technology/Circuit/System Co-Optimization and Benchmarking for Multilayer Graphene Interconnects at Sub-10-nm Technology Node.
    Pan, Chenyun ; Raghavan, Praveen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-05-01), Heft 5, S. 1530-1536
    Online academicJournal
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    Field Electrons Intercepted by Coplanar Gates in Nanoscale Air Channel.
    Chang, Wen-Teng ; Pao, Po-Heng
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-09-01), Heft 9, S. 3961-3966
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Thermal Spreading Resistance in Ballistic-Diffusive Regime for GaN HEMTs.
    Hua, Yu-Chao ; Li, Han-Ling ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-08-01), Heft 8, S. 3296-3301
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Insight Into Ballisticity of Room-Temperature Carrier Transport in Carbon Nanotube Field-Effect Transistors.
    Xu, Lin ; Qiu, Chenguang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-08-01), Heft 8, S. 3535-3540
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A 252-V/lux\cdots, 16.7-Million-Frames-Per-Second 312-kpixel Back-Side-Illuminated Ultrahigh-Speed Charge-Coupled Device.
    Arai, Toshiki ; Yonai, Jun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-10-01), Heft 10, S. 3450-3458
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Line-Edge Roughness Effects on the Electronic Properties of Armchair Black Phosphorene Nanoribbons
    Karamitaheri, Hossein ; Moez, Mahsa
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-10-01), S. 5114-5119
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Study on Degradation Mechanisms of Thermal Conductivity for Confined Nanochannel in Gate-All-Around Silicon Nanowire Field-Effect Transistors
    Li, Binhong ; Lai, Junhua ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-10-01), S. 4060-4066
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Back-Gate Effect on R<subscript>ON,sp</subscript> and BV for Thin Layer SOI Field p-Channel LDMOS.
    Zhou, Xin ; Qiao, Ming ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-04-01), Heft 4, S. 1098-1104
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Back-Gate Effect on RON,sp and BV for Thin Layer SOI Field p-Channel LDMOS.
    Zhou, Xin ; Qiao, Ming ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-04-01), Heft 4, S. 1098-1104
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    On Apparent Electron Mobility in Si nMOSFETs From Diffusive to Ballistic Regime
    Antoniadis, Dimitri A.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-07-01), S. 2650-2656
    Online unknown
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