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  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Suppression of Stress-Induced Defects in FinFET by Implantation and STI Co-Optimization
    Ye, Bin ; Zhu, Hao ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 68 (2021), Heft 5, S. 2587-2589
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Reliability Concerns on LDMOS With Different Split-STI Layout Patterns
    Ye, Ran ; Lu, Li ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 67 (2019), Heft 1, S. 185-192
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Hot-Carrier-Induced Degradation and Optimization for Lateral DMOS With Split-STI-Structure in the Drift Region
    Ye, Ran ; Lu, Li ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 66 (2019), Heft 7, S. 2869-2875
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    RESURF Model and Electrical Characteristics of Finger-Type STI Drain Extended MOS Transistors
    Tsai, H. C. ; Liou, R. H. ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 63 (2016), Heft 12, S. 4603-4609
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Low-Frequency Noise Assessment of Different Ge pFinFET STI Processes
    de Oliveira, A. V. ; Simoen, E. ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 63 (2016), Heft 10, S. 4031-4037
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    RESURF model and electrical characteristics of finger-type STI drain extended MOS transistors
    Tsai, Hung-Chih ; Liou, Ruey-Hsin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-12-01), Heft 12, S. 4603-4609
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Low-frequency noise assessment of different Ge pFinFET STI processes
    Oliveira, Alberto V. de ; Simoen, Eddy ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-10-01), Heft 10, S. 4031-4037
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Part II: Design of Well Doping Profile for Improved Breakdown and Mixed-Signal Performance of STI-Type DePMOS Device
    Tailor, K. H. ; Shrivastava, M. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 62 (2015), Heft 12, S. 4105-4113
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Part I: Physical Insights Into the Two-Stage Breakdown Characteristics of STI-Type Drain-Extended pMOS Device
    Tailor, K. H. ; Shrivastava, M. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 62 (2015), Heft 12, S. 4097-4104
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Breakdown Voltage Model and Electrical Characteristics of CMOS Compatible RESURF STI Drain Extended MOS Transistors
    Tsai, H. ; Yadav, Y. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 62 (2015), Heft 6, S. 1958-1963
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A Low Dark Leakage Current High-Sensitivity CMOS Image Sensor With STI-Less Shared Pixel Design : SPECIAL ISSUE ON VACUUM ELECTRONIC DEVIVES
    Seo, M. W. ; Kawahito, S. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 61 (2014), Heft 6, S. 2093-2097
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Suppression of Stress-Induced Defects in FinFET by Implantation and STI Co-Optimization
    David Wei Zhang ; Sun, Qing-Qing ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-05-01), S. 2587-2589
    Online unknown
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    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Reliability Concerns on LDMOS With Different Split-STI Layout Patterns
    Chen, Hongting ; Zhang, Long ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020), S. 185-192
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Low-Frequency Noise Assessment of Different Ge pFinFET STI Processes.
    Claeys, Cor ; de Oliveira, Alberto V. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-10-01), Heft 10, S. 4031-4037
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Hot-Carrier-Induced Degradation and Optimization for Lateral DMOS With Split-STI-Structure in the Drift Region
    Wu, Wangran ; Ye, Ran ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-07-01), S. 2869-2875
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    TCAD Simulation of Hot-Carrier and Thermal Degradation in STI-LDMOS Transistors
    Reggiani, S. ; Barone, G. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 60 (2013), Heft 2, S. 691-698
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A Two-Dimensional Analysis Method on STI-Aware Layout-Dependent Stress Effect
    Li, X. ; Ye, Z. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 59 (2012), Heft 11, S. 2964-2972
    Online serialPeriodical
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Novel Negative Shift Phenomenon of Program-Inhibit Cell in Self-Aligned STI nand Flash Memory
    Aritome, S. ; Seo, S. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 59 (2012), Heft 11, S. 2950-2955
    Online serialPeriodical
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Additional Nitrogen Ion-Implantation Treatment in STI to Relax the Intrinsic Compressive Stress for n-MOSFETs
    Liao, M. H. ; Chen, C. H. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 59 (2012), Heft 8, S. 2033-2036
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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