Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
11 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Verlag

Sprache

11 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    AlGaN/GaN Power HFET on Silicon Substrate With Source-Via Grounding (SVG) Structure
    Hikita, M. ; Yanagihara, M. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 52 (2005), Heft 9, S. 1963-1968
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    AlGaN/GaN Power HFET on Silicon Substrate With Source-Via Grounding (SVG) Structure
    Ueno, Hiroaki ; Uemoto, Yasuhiro ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-09-01), S. 1963-1968
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    An advanced SVG technology for 64K junction-shorting PROM's
    Fukushima, Toshitaka ; Tanaka, K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 30 (1983-12-01), S. 1785-1791
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Extrinsic and Intrinsic Performance of Vertical InAs Nanowire MOSFETs on Si Substrates.
    Persson, Karl-Magnus ; Berg, Martin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-09-01), Heft 9, S. 2761-2767
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Improved Modeling of Low-Frequency Noise in MOSFETs—Focus on Surface Roughness Effect and Saturation Region.
    Boutchacha, Touati ; Ghibaudo, Gérard
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-09-01), Heft 9, S. 3156-3161
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    The Geometry Effect of Contact Etch Stop Layer Impact on Device Performance and Reliability for 90-nm SOI nMOSFETs.
    Lai, Chieh-Ming ; Fang, Yean-Kuen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 53 (2006-11-01), Heft 11, S. 2779-2785
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Characterization of Mixed-Signal Properties of MOSFETs With High-k (SiON/HfSiON/TaN) Gate Stacks.
    Rittersma, Z. M. ; Vertregt, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 53 (2006-05-01), Heft 5, S. 1216-1225
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    NH3 PDA Temperature-Impact on Low-Frequency Noise Behavior of Si0.7Ge0.3 pFinFETs
    Xie, Duan ; Simoen, Eddy ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-12-01), S. 6985-6990
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Improved Modeling of Low-Frequency Noise in MOSFETs—Focus on Surface Roughness Effect and Saturation Region
    Ghibaudo, G. ; Boutchacha, T.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-09-01), S. 3156-3161
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    The Geometry Effect of Contact Etch Stop Layer Impact on Device Performance and Reliability for 90-nm SOI nMOSFETs
    Yeh, Wen-Kuan ; Fang, Yean-Kuen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 53 (2006-11-01), S. 2779-2785
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -