Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
160 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

160 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    A Backward-Triggered 4H-SiC Photoconductive Semiconductor Switch With Planar Electrode Structure
    Chu, X. ; Meng, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024-07-01), Heft 7, S. 4253-4258
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    2.5 kV/1.95 GW/cm² AlGaN/GaN-Based Lateral Schottky Barrier Diodes With a High-k Field Plate to Reduce Reverse Current
    Wang, Z. ; Huang, F. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024-06-01), Heft 6, S. 3811-3817
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Test and Analysis on the Gyromagnetic Nonlinear Transmission Lines With Different Magnetic Cores
    Cui, Y. ; Meng, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024-04-01), Heft 4, S. 2676-2682
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Study of a New Hydrogen Sensor Based on the Synthesis of a Sputtered In–Sn–Zn-O Thin Film and Evaporated Palladium Nanoparticles
    Yao, P. ; Kuo, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024-04-01), Heft 4, S. 2612-2617
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    GaN Super-Heterojunction FETs With 10-kV Blocking and 3-kV Dynamic Switching
    Kemmerling, J.T. ; Guan, R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024-02-01), Heft 2, S. 1153-1159
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Improving the Performance of Free-pGaN Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes by Embedding Self-Assembled Ni Nanoparticles Between p-AlGaN/p-Electrode
    Jia, T. ; Wang, B. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-12-01), Heft 12, S. 6410-6414
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    MoTe2/SnSe2 Tunneling Diode Regulated by Giant Ferroelectric Field
    Yan, H. ; Zhao, Q. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-11-01), Heft 11, S. 5966-5971
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    GaN-Based Ultraviolet Phototransistor With Two Parallel Polarization-Doped Junctions and an Al0.20Ga0.80N Insertion Layer to Achieve Low Dark Current and High Detectivity
    Xuan, Z. ; Chu, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-11-01), Heft 11, S. 5707-5712
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Performance Improvement of AlN-Based RRAMs Using Ag Layer for Hardware Security Applications
    Min, K. ; Li, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-08-01), Heft 8, S. 4115-4121
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Probing Gate Dielectrics for Two-Dimensional Electronics at Atomistic Scale Using Transmission Electron Microscope
    Luo, C. ; Xu, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-04-01), Heft 4, S. 1499-1508
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Investigation of the Sensitivity of a Novel Vertical Hall Device Based on the Buried Layer
    Zhang, Y. ; Gao, B. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-03-01), Heft 3, S. 1406-1411
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    UV-Enhanced Electrical Performances of ZnO:Ga Nanostructure Nanogenerators by Using Ultrasonic Waves
    Chu, Y. ; Ding, R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-10-01), Heft 10, S. 5800-5807
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Performance Enhanced of Metal-Semiconductor-Metal Ultraviolet Photodetector Enabled by ZnO/MXene/ZnO Sandwich Structure Achieved Through the Hot-Electrons Injection in MXene Nanoflakes
    Chu, L. ; Xu, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-12-01), Heft 12, S. 6811-6816
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Benchmarking Power Delivery Network Designs at the 5-nm Technology Node
    Lanzillo, N.A. ; Chu, A.M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-12-01), Heft 12, S. 7135-7140
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Hybrid GaO/AlGaN/GaN Ultraviolet Detector With Gate Metal in the Grooved AlGaN Layer for Obtaining Low Dark Current and Large Detectivity
    Liu, Z. ; Chu, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-11-01), Heft 11, S. 6166-6170
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    MIS-Based GaN Schottky Barrier Diodes: Interfacial Conditions on the Reverse and Forward Properties
    Huang, F. ; Wang, Z. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-10-01), Heft 10, S. 5522-5529
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Vertical SiC Photoconductive Switch With Axial Optical Internal Reflection Trap
    Wang, L. ; Chu, X. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-09-01), Heft 9, S. 5028-5034
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Performance Enhancement and Transient Current Response of Ferroelectric Tunnel Junction: A Theoretical Study
    Huang, H. ; Chu, Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-08-01), Heft 8, S. 4686-4692
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Investigation of p-GaN/N-Mg₀.₃Zn₀.₇O:In Heterojunction Photodiode for Dual-Band UV-B/UV-A Detection
    Liu, H. ; Chu, H.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 2886-2893
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    A Buried High k Insulator for Suppressing the Surface Recombination for GaN-Based Micro-Light-Emitting Diodes
    Zhang, M. ; Hang, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 3213-3216
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -