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    Monolithic 3-D Integration of Counteractive Coupling IGZO/CNT Hybrid 2T0C DRAM and Analog RRAM-Based Computing-In-Memory
    Su, Y. ; Shi, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024-05-01), Heft 5, S. 3336-3342
    Online academicJournal
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    A Modeling Study on Electrical and Thermal Behavior of CNT TSV for Multilayer Structure
    Xu, B. ; Chen, R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-09-01), Heft 9, S. 4779-4785
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Enhanced Stability of SiZTO TFT Under Positive Voltage and Light Negative Voltage Stress and Modified Hysteresis of the CNTs/SiZTO CMOS Inverter by Si Doping
    Huang, C. ; Ma, D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-08-01), Heft 8, S. 4213-4219
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    TCAD Simulation Framework of Gas Desorption in CNT FET NO2 Sensors
    Carapezzi, S. ; Reggiani, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-11-01), Heft 11, S. 4682-4686
    Online academicJournal
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    Design and Fabrication of CNT-Based ${E}$ -Gun Using Stripe-Patterned Alloy Substrate for X-Ray Applications
    Lim, J. ; Gupta, A.P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-12-01), Heft 12, S. 5301-5304
    Online academicJournal
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    The Demonstration of Carbon Nanotubes (CNTs) as Flip-Chip Connections in 3-D Integrated Circuits With an Ultralow Connection Resistance
    Liao, M. ; Lu, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-05-01), Heft 5, S. 2205-2207
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Beam Test of a Novel CNT Cathode-Based Electron Gun Assembled in a TWT
    Li, X. ; Chen, B. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-05-01), Heft 5, S. 2382-2388
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Understanding Electromigration in Cu-CNT Composite Interconnects: A Multiscale Electrothermal Simulation Study
    Lee, J. ; Berrada, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-09-01), Heft 9, S. 3884-3892
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Particle-In-Cell Simulations of Electron Focusing for a Compact X-Ray Tube Comprising CNT-Based Electron Source and Transmission Type Anode
    Avachat, A.V. ; Tucker, W.W. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-03-01), Heft 3, S. 1525-1532
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Electrical and Thermal Models of CNT TSV and Graphite Interface
    Vaisband, B. ; Maurice, A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-05-01), Heft 5, S. 1880-1886
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Gate Capacitance Model for Aligned Carbon Nanotube FETs With Arbitrary CNT Spacing
    Ahmed, Z. ; Zhang, L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 12, S. 4327-4332
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    GAA CNT TFETs Structural Engineering: A Higher ON Current, Lower Ambipolarity
    Shirazi, S.G. ; Karimi, G.R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-06-01), Heft 6, S. 2822-2830
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Field-Emission Characteristics of Selectively Grown CNTs
    Tsai, C. N. ; Kirkici, H.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013), Heft 1, S. 478-481
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Fully Integrated 3-D Stackable CNTFET/RRAM 1T1R Array as BEOL Buffer Macro for Monolithic 3-D Integration With Analog RRAM-Based Computing-in-Memory
    Zhang, Y. ; Li, Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024-05-01), Heft 5, S. 3343-3350
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A Sheet Beam Electron Gun Based on Carbon Nanotube Cold Cathode
    Ren, J. ; Zhang, Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024-05-01), Heft 5, S. 3189-3193
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    FEM Model of Wraparound CNTFET With Multi-CNT and Its Capacitance Modeling
    Akanda, M. R. K. ; Khosru, Q. D. M.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013), Heft 1, S. 97-102
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Computational Study of the Ultimate Scaling Limits of CNT Tunneling Devices
    Poli, S. ; Reggiani, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008), Heft 1, S. 313-321
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Quantum modeling and proposed designs of CNT-embedded nanoscale MOSFETs
    Akturk, A. ; Pennington, G. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-04-01), Heft 4, S. 577-584
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    Evaluation of Influence of Substrate Planarization on the Uniformity of Flexible Carbon Nanotube Thin Film Transistors
    Ye, H. ; Wang, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-10-01), Heft 10, S. 5125-5132
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Strain-Induced Performance Variation in Stretchable Carbon-Nanotube Thin-Film Transistors and the Solution Through a Circular Channel Design
    Wu, C. ; Zhong, D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024-05-01), Heft 5, S. 3411-3416
    Online academicJournal
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