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    Comparison of neutron and electron irradiation for controlling IGT switching speed
    Strifler, W.A. ; Baliga, B.J.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 32 (1985-09-01), Heft 9, S. 1629-1632
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Insulated gate transistor physics: Modeling and optimization of the on-state characteristics
    Yilmaz, H. ; Van Dell, W.R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 32 (1985-12-01), Heft 12, S. 2812-2818
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    The evolution of power device technology
    Adler, M.S. ; Owyang, K.W. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 31 (1984-11-01), Heft 11, S. 1570-1591
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Switching speed enhancement in insulated gate transistors by electron irradiation
    Baliga, B.J.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 31 (1984-12-01), Heft 12, S. 1790-1795
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A new insulated gate tetrode with high drain breakdown potential and low miller feedback capacitance
    Dill, H.G.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 15 (1968-10-01), Heft 10, S. 717-728
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    The insulated gate transistor: A new three-terminal MOS-controlled bipolar power device
    Baliga, B.J. ; Adler, M.S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 31 (1984-06-01), Heft 6, S. 821-828
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
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