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    LTPS Pixel Driving Scheme to Improve Motion Blur for AMOLED Displays
    Lee, J. ; Kang, C.H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-09-01), Heft 9, S. 4950-4957
    Online academicJournal
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    Improvement of Strained Negative Bias Temperature Instability in Flexible LTPS TFTs by a Stress-Release Design
    Wang, Y. ; Chang, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-03-01), Heft 3, S. 1532-1537
    Online academicJournal
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    LTPS Active Pixel Circuit With Threshold Voltage Compensation for X-Ray Imaging Applications
    Tai, Y. ; Lin, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-10-01), Heft 10, S. 4216-4220
    Online academicJournal
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    Abnormal ${C}$ – ${V}$ Hump Effect Induced by Hot Carriers in Gate Length-Dependent p-Type LTPS TFTs
    Huang, S. ; Chen, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-11-01), Heft 11, S. 4764-4767
    Online academicJournal
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    Suppressing ${V_{\mathrm{TH}}}$ Variations in LTPS Thin-Film Transistors With Current Scaling Ratio Modulation for AMOLED Display
    Lin, C. ; Hsu, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-08-01), Heft 8, S. 3577-3581
    Online academicJournal
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    LTPS Thin-Film Transistors Fabricated Using New Selective Laser Annealing System
    Goto, T. ; Saito, K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-08-01), Heft 8, S. 3250-3256
    Online academicJournal
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    Electrical Properties of Metal-Induced Laterally Crystallized p-Type LTPS-TFT With High- $\kappa $ ZrTiO4 Gate Dielectric Featuring Low Equivalent-Oxide-Thickness
    Park, J.H. ; Han, J.S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-06-01), Heft 6, S. 2391-2397
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Asymmetric Driving Current Modification of CMOS LTPS-TFTs With ${\rm HfO}_{2}$ Gate Dielectric
    Ma, W. C. Y.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-03-01), Heft 3, S. 930-932
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    The Impact of $\hbox{TiO}_{2}$ Interface Layer on a Pd/n-LTPS Schottky Diode Hydrogen Detecting Performances
    Chiang, Y. T. ; Fang, Y. K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 57 (2010-08-01), Heft 8, S. 2013-2018
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Characteristics of $\hbox{HfO}_{2}$ /Poly-Si Interfacial Layer on CMOS LTPS-TFTs With $\hbox{HfO}_{2}$ Gate Dielectric and $\hbox{O}_{2}$ Plasma Surface Treatment
    Ma, M. W. ; Chiang, T. Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-12-01), Heft 12, S. 3489-3493
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Reliability Mechanisms of LTPS-TFT With $\hbox{HfO}_{2}$ Gate Dielectric: PBTI, NBTI, and Hot-Carrier Stress
    Ma, M. W. ; Chen, C. Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-05-01), Heft 5, S. 1153-1160
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    One-Time-Programmable Memory in LTPS TFT Technology With Metal-Induced Lateral Crystallization
    Li, L. ; Chui, C. O. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012), Heft 1, S. 145-150
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    New Voltage-Programmed AMOLED Pixel Circuit to Compensate for Nonuniform Electrical Characteristics of LTPS TFTs and Voltage Drop in Power Line
    Lin, C. ; Hung, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-07-01), Heft 7, S. 2454-2454
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    LTPS AM-OLED Display Consisting of Two-TFTs/One-Capacitor Pixel Circuits for Producing High-Uniformity Images
    Kohno, T. ; Kuranaga, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-11-01), Heft 11, S. 3780-3786
    Online academicJournal
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    An Empirical Defect-Related Photo Leakage Current Model for LTPS TFTs Based on the Unit Lux Current
    Tai, Y. H. ; Kuo, Y. F. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 57 (2010-05-01), Heft 5, S. 1015-1022
    Online academicJournal
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    Vertically Stacked Nanosheet FET: Charge- Trapping Memory and Synapse With Linear Weight Adjustability for Neuromorphic Computing Applications
    Ansari, M.H.R. ; Li, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-03-01), Heft 3, S. 1344-1350
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    Abnormal Degradation Behaviors Under Negative Bias Stress in Flexible p-Channel Low-Temperature Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors After Laser Lift-Off Process
    Wu, C. ; Ma, W.C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-03-01), Heft 3, S. 1079-1084
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    Fine-Tunable Emission Pulse Generation Circuit Based on p-Type Low-Temperature Poly-Si Thin-Film Transistors for Active Matrix Organic Light-Emitting Diode Displays
    Chang, M.K. ; Kim, J.H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-06-01), Heft 6, S. 3092-3099
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    Temperature Coefficient of Poly-Silicon TFT and its Application on Voltage Reference Circuit With Temperature Compensation in LTPS Process
    Lu, T. C. ; Zan, H. W. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-10-01), Heft 10, S. 2583-2589
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    Compact analytical physical-based model of LTPS TFT for active matrix displays addressing circuits simulation and design
    Benzarti, W. ; Plais, F. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 51 (2004-03-01), Heft 3, S. 345-350
    Online academicJournal
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