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    Analytical Modeling of the Dependence of the Open-Circuit Voltage With Temperature in CMOS Photodiodes
    Fernandez-Peramo, P. ; Lenero-Bardallo, J.A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024-03-01), Heft 3, S. 1987-1993
    Online academicJournal
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    Effect of X-Ray Irradiation on Colloidal Quantum Dot SWIR CMOS Image Sensor
    Jin, M. ; Lee, S.Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024), Heft 1, S. 613-618
    Online academicJournal
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    Volltext
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    200-mm Si CMOS Process-Compatible Integrated Passive Device Stack for Millimeter-Wave Monolithic 3-D Integration
    Park, M. ; Song, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-10-01), Heft 10, S. 5257-5264
    Online academicJournal
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    Implementing Remote Doping and Suppressed Scattering in MoS₂ Field-Effect Transistor Using CMOS-Compatible Process
    Ma, W. ; Zhang, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024-05-01), Heft 5, S. 3315-3321
    Online academicJournal
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    Enhanced Stability of SiZTO TFT Under Positive Voltage and Light Negative Voltage Stress and Modified Hysteresis of the CNTs/SiZTO CMOS Inverter by Si Doping
    Huang, C. ; Ma, D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-08-01), Heft 8, S. 4213-4219
    Online academicJournal
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Experimental Analysis and Modeling of Self-Heating and Thermal Coupling in 28 nm FD-SOI CMOS Transistors Down to Cryogenic Temperatures
    Bergamaschi, F.E. ; Frutuoso, T.M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024-04-01), Heft 4, S. 2598-2604
    Online academicJournal
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Complex Design of CMOS Logic With Tolerance to Particle and Cumulative Radiation
    Lee, M.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024), Heft 1, S. 440-447
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Low-Frequency Noise of 4H-SiC CMOS Technology for Analog ICs
    Masunaga, M.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-06-01), Heft 6, S. 3228-3233
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Si Interlayers Trimming Strategy in Gate-All-Around Device Architecture for Si and SiGe Dual-Channel CMOS Integration
    Zhao, F. ; Li, Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-12-01), Heft 12, S. 6163-6168
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Monolithically Cointegrated Tensile Strained Germanium and InxGa1-xAs FinFETs for Tunable CMOS Logic
    Joshi, R. ; Karthikeyan, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-08-01), Heft 8, S. 4175-4182
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Signal-to-Noise Ratio Enhancement in Cardiac Pulse Measurements Using Multitap CMOS Image Sensors With In-Pixel Temporal Redundant Samplings
    Cao, C. ; Hakamata, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 2851-2857
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Pixel-Parallel Three-Layer Stacked CMOS Image Sensors Using Double-Sided Hybrid Bonding of SOI Wafers
    Goto, M. ; Honda, Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-09-01), Heft 9, S. 4705-4711
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    CMOS-Compatible Ti/TiN/Al Refractory Ohmic Contact for GaAs Heterojunction Bipolar Transistors Grown on Ge/Si Substrate
    Wang, Y. ; Loke, W.K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-12-01), Heft 12, S. 6065-6068
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Low-Voltage, High-Brightness Silicon Micro-LEDs for CMOS Photonics
    Xue, J. ; Kim, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-08-01), Heft 8, S. 3870-3875
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Benchmarking Silicon FinFET With the Carbon Nanotube and 2D-FETs for Advanced Node CMOS Logic Application
    Das, U.K. ; Hussain, M.M.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-07-01), Heft 7, S. 3643-3648
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A Global Shutter Wide Dynamic Range Soft X-Ray CMOS Image Sensor With Backside- Illuminated Pinned Photodiode, Two-Stage Lateral Overflow Integration Capacitor, and Voltage Domain Memory Bank
    Shike, H. ; Kuroda, R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-04-01), Heft 4, S. 2056-2063
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Endurance Improvement of Si FeFET by a Fully CMOS-Compatible Process: Insertion of HfOx at Hf0.5Zr0.5O2/SiOx Interface to Suppress Oxygen Vacancy Generation
    Chai, J. ; Xu, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-12-01), Heft 12, S. 7156-7160
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Prospects for Wide Bandgap and Ultrawide Bandgap CMOS Devices
    Bader, S.J. ; Lee, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-10-01), Heft 10, S. 4010-4020
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Fabrication of Vertically Stacked Nanosheet Junctionless Field-Effect Transistors and Applications for the CMOS and CFET Inverters
    Sung, P. ; Chang, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-09-01), Heft 9, S. 3504-3509
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Ambient Temperature-Induced Device Self-Heating Effects on Multi-Fin Si CMOS Logic Circuit Performance in N-14 to N-7 Scaled Technologies
    Venkateswarlu, S. ; Nayak, K.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-04-01), Heft 4, S. 1530-1536
    Online academicJournal
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