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    A Novel Physics Aware ANN-Based Framework for BSIM-CMG Model Parameter Extraction
    Singhal, A. ; Pahwa, G. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024-05-01), Heft 5, S. 3307-3314
    Online academicJournal
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    Deep Learning-Based Fast BSIM-CMG Parameter Extraction for General Input Dataset
    Ashai, A. ; Jadhav, A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-07-01), Heft 7, S. 3437-3441
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Deep Learning-Based BSIM-CMG Parameter Extraction for 10-nm FinFET
    Kao, M. ; Chavez, F. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-08-01), Heft 8, S. 4765-4768
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Compact Model of a Bulk FinFET Quantum Dot Toward Single Chip Integration of Qubits and Control Electronics for Quantum Computing Applications
    Singh, S.K. ; Sharma, D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-06-01), Heft 6, S. 2911-2918
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Effective Channel Mobility Extraction and Modeling of 10-nm Bulk CMOS FinFETs in Cryogenic Temperature Operation for Quantum Computing Applications
    Gupta, S. ; Singh, S.K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-04-01), Heft 4, S. 1815-1822
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Modeling the Impact of Dynamic Fin-Width on the I– V, C– V and RF Characteristics of GaN Fin–HEMTs
    Pampori, A.U.H. ; Ahsan, S.A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-05-01), Heft 5, S. 2275-2281
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    An Accurate Process-Induced Variability-Aware Compact Model-Based Circuit Performance Estimation for Design-Technology Co-Optimization
    Patil, S. ; Rawat, A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022), Heft 1, S. 45-50
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Impact of Thermal Effects on the Performance of the Power Gating Circuits Using NEMS, FinFETs, and NWFETs
    Saha, S. ; Kumar, U.S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-06-01), Heft 6, S. 2618-2624
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Intermodulation Linearity Characteristics of 14-nm RF FinFETs
    Zhang, J. ; Niu, G. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-06-01), Heft 6, S. 2520-2526
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Experimental Evaluation of Self-Heating and Analog/RF FOM in GAA-Nanowire FETs
    Singh, R. ; Aditya, K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-08-01), Heft 8, S. 3279-3285
    Online academicJournal
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    Experimental Validation of Process-Induced Variability Aware SPICE Simulation Platform for Sub-20 nm FinFET Technologies
    Rawat, A. ; Sharan, N. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-03-01), Heft 3, S. 976-980
    Online academicJournal
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    A Simulation Study of NBTI Impact on 14-nm Node FinFET Technology for Logic Applications: Device Degradation to Circuit-Level Interaction
    Mishra, S. ; Amrouch, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 271-278
    Online academicJournal
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    NBTI-Related Variability Impact on 14-nm Node FinFET SRAM Performance and Static Power: Correlation to Time Zero Fluctuations
    Mishra, S. ; Parihar, N. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-11-01), Heft 11, S. 4846-4853
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Analysis on Self-Heating Effects in Three-Stacked Nanoplate FET
    Kim, H. ; Son, D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-10-01), Heft 10, S. 4520-4526
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Compact Modeling Source-to-Drain Tunneling in Sub-10-nm GAA FinFET With Industry Standard Model
    Lin, Y. ; Duarte, J.P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-09-01), Heft 9, S. 3576-3581
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Phenomenological Compact Model for QM Charge Centroid in Multigate FETs
    Venugopalan, S. ; Karim, M. A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-04-01), Heft 4, S. 1480-1484
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Characterization and Modeling of 14-/16-nm FinFET-Based LDMOS
    Kar, A. ; Parihar, S.S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. PP, Heft 99, S. 1-8
    academicJournal
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    Multiple-Gate FET Quantum Dot Behavior and a Proximity Charge Sensing Model
    Sharma, D. ; Kumar Singh, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024-06-01), Heft 6, S. 3970-3976
    Online academicJournal
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    Accurate SPICE Model for Cells With Tube-Type Poly-Si Channel in Cell Strings of Vertical NAND Flash Memory
    Hwang, J. ; Yoo, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-10-01), Heft 10, S. 5469-5474
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Compact Modeling of Process Variations in Nanosheet Complementary FET (CFET) and Circuit Performance Predictions
    Yang, X. ; Sun, Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-07-01), Heft 7, S. 3935-3942
    Online academicJournal
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