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    An Over 140 dB Dynamic Range CMOS Image Sensor Combined DCG and Logarithmic Response
    Lou, S. ; Qu, Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-09-01), Heft 9, S. 4719-4724
    Online academicJournal
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    Volltext
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    A Low-Power Column-Parallel ΣΔ ADC With Shared OTAs and Single-Bit-BWI Decimation Filter for CMOS Image Sensor
    Wang, Z. ; Ma, Q. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 2979-2985
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Overview of CMOS Global Shutter Pixels
    Velichko, S.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 2806-2814
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A 70-dB SNR High-Speed Global Shutter CMOS Image Sensor for in Situ Fluid Concentration Distribution Measurements
    Oikawa, T. ; Kuroda, R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 2965-2972
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    0.13 μm Low-Power CMOS Current Starved VCO for Vibration Energy Harvesters
    Almeida, G. ; Yang, Z. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-05-01), Heft 5, S. 2167-2172
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    A Global Shutter Wide Dynamic Range Soft X-Ray CMOS Image Sensor With Backside- Illuminated Pinned Photodiode, Two-Stage Lateral Overflow Integration Capacitor, and Voltage Domain Memory Bank
    Shike, H. ; Kuroda, R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-04-01), Heft 4, S. 2056-2063
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    An Over 120 dB Single Exposure Wide Dynamic Range CMOS Image Sensor With Two-Stage Lateral Overflow Integration Capacitor
    Fujihara, Y. ; Murata, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021), Heft 1, S. 152-157
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    A High Near-Infrared Sensitivity Over 70-dB SNR CMOS Image Sensor With Lateral Overflow Integration Trench Capacitor
    Murata, M. ; Kuroda, R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-04-01), Heft 4, S. 1653-1659
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Design and Analysis of a CMOS Moore Fractal MOM Capacitor With an Application to an RF Active Image Reject Filter
    Ray, A. ; De, A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-02-01), Heft 2, S. 704-710
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    3-D CMOS Chip Stacking for Security ICs Featuring Backside Buried Metal Power Delivery Networks With Distributed Capacitance
    Monta, K. ; Sonoda, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-04-01), Heft 4, S. 2077-2082
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A 0.5erms− Temporal Noise CMOS Image Sensor With Gm-Cell-Based Pixel and Period-Controlled Variable Conversion Gain
    Ge, X. ; Theuwissen, A.J.P.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-12-01), Heft 12, S. 5019-5026
    Online academicJournal
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    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Decoupling Structures for Millimeter Wave Integrated Circuits in Digital CMOS Processes
    Wu, K. ; Muralidharan, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-02-01), Heft 2, S. 788-792
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A 1.1- $\mu \text{m}$ 33-Mpixel 240-fps 3-D-Stacked CMOS Image Sensor With Three-Stage Cyclic-Cyclic-SAR Analog-to-Digital Converters
    Arai, T. ; Yasue, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-12-01), Heft 12, S. 4992-5000
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    An Area-Efficient and Low-Power 12-b SAR/Single-Slope ADC Without Calibration Method for CMOS Image Sensors
    Kim, M. ; Hong, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-09-01), Heft 9, S. 3599-3604
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A 32-Stage 15-b Digital Time-Delay Integration Linear CMOS Image Sensor With Data Prediction Switching Technique
    Yin, C. ; Liao, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-03-01), Heft 3, S. 1167-1173
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Chord-Fractal Capacitor in CMOS Technology
    Chien, C. ; Hsu, H.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-12-01), Heft 12, S. 4642-4646
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    CMOS-Like Logic Circuits With Unipolar Thin-Film Transistors on Flexible Substrate
    Li, Q. ; Lee, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-02-01), Heft 2, S. 512-517
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Half-MOS Single-Poly EEPROM Cell in Standard CMOS Process
    Torricelli, F. ; Milani, L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-06-01), Heft 6, S. 1892-1897
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    CMOS X-Ray Detector With Column-Parallel 14.3-bit Extended-Counting ADCs
    Shin, M. S. ; Kim, J. B. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-03-01), Heft 3, S. 1169-1177
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    A Phase-Change Via-Reconfigurable CMOS $LC$ VCO
    Wen, C. Y. ; Slovin, G. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-12-01), Heft 12, S. 3979-3988
    Online academicJournal
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