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    Enabling Low-Power Charge-Domain Nonvolatile Computing-in-Memory (CIM) With Ferroelectric Memcapacitor
    Wang, X. ; Cui, B. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024-04-01), Heft 4, S. 2404-2410
    Online academicJournal
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    A Novel Array Programming Scheme for Large Matrix Processing in Flash-Based Computing-in-Memory (CIM) With Ultrahigh Bit Density
    Feng, Y. ; Zhang, D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-02-01), Heft 2, S. 461-467
    Online academicJournal
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    Fully Integrated 3-D Stackable CNTFET/RRAM 1T1R Array as BEOL Buffer Macro for Monolithic 3-D Integration With Analog RRAM-Based Computing-in-Memory
    Zhang, Y. ; Li, Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024-05-01), Heft 5, S. 3343-3350
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    A New High Density 3D Stackable Via RRAM for Computing-in-Memory SOC Applications
    Sing, S. ; Wang, Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024-04-01), Heft 4, S. 2399-2403
    Online academicJournal
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    Multilevel Fully Logic-Compatible Latch Array for Computing-in-Memory
    Yeh, M. ; Wang, Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-04-01), Heft 4, S. 2001-2008
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    3-D Heterogeneous Integration of RRAM-Based Compute-In-Memory: Impact of Integration Parameters on Inference Accuracy
    Kaul, A. ; Luo, Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-02-01), Heft 2, S. 485-492
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    The Impact of Thermal Enhance Layers on the Relaxation Effect in Analog RRAM
    Xi, Y. ; Tang, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-08-01), Heft 8, S. 4254-4258
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A Novel Computing-in-Memory Platform Based on Hybrid Spintronic/CMOS Memory
    Yang, Z. ; He, K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-04-01), Heft 4, S. 1698-1705
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Energy-Efficient Advanced Data Encryption System Using Spin-Based Computing-in-Memory Architecture
    Nisar, A. ; Dhull, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-04-01), Heft 4, S. 1736-1742
    Online academicJournal
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    Heterogeneous 3-D Integration of Multitier Compute-in-Memory Accelerators: An Electrical-Thermal Co-Design
    Peng, X. ; Kaul, A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-11-01), Heft 11, S. 5598-5605
    Online academicJournal
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    Spintronic Computing-in-Memory Architecture Based on Voltage-Controlled Spin–Orbit Torque Devices for Binary Neural Networks
    Wang, H. ; Kang, W. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-10-01), Heft 10, S. 4944-4950
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Fast Algorithms for Exact IR Drop De-Embedding in Analog Multiply–Accumulate Computing
    Gao, S. ; Yang, F. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-11-01), Heft 11, S. 6376-6383
    Online academicJournal
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    Crossbar-Level Retention Characterization in Analog RRAM Array-Based Computation-in-Memory System
    Zhao, M. ; Gao, B. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-08-01), Heft 8, S. 3813-3818
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Compact Reliability Model of Analog RRAM for Computation-in-Memory Device-to-System Codesign and Benchmark
    Liu, Y. ; Zhao, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-06-01), Heft 6, S. 2686-2692
    Online academicJournal
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    A New Insight and Modeling of Pulse-to-Pulse Variability in Analog Resistive Memory for On-Chip Training
    Yu, Z. ; Wang, Z. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 3100-3104
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    Energy-Efficient All-Spin BNN Using Voltage-Controlled Spin-Orbit Torque Device for Digit Recognition
    Shreya, S. ; Verma, G. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021), Heft 1, S. 385-392
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    PCM-Based Analog Compute-In-Memory: Impact of Device Non-Idealities on Inference Accuracy
    Sun, X. ; Khwa, W.S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-11-01), Heft 11, S. 5585-5591
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    Challenges and Trends inDeveloping Nonvolatile Memory-Enabled Computing Chips for Intelligent Edge Devices
    Hung, J. ; Li, X. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-04-01), Heft 4, S. 1444-1453
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    Compact Single-Phase-Search Multistate Content-Addressable Memory Design Using One FeFET/Cell
    Rajaei, R. ; Sharifi, M.M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021), Heft 1, S. 109-117
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    Array-Level Programming of 3-Bit per Cell Resistive Memory and Its Application for Deep Neural Network Inference
    Luo, Y. ; Han, X. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-11-01), Heft 11, S. 4621-4625
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