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    Probing Dark Current Random Telegraph Signal in a Small Pitch Vertically Pinned Photodiode CMOS Image Sensor After Proton Irradiation.
    Antonsanti, Aubin ; Virmontois, Cedric ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-07-01), Heft 7, S. 1506-1514
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Study of Proton-Induced Defects in 40-nm CMOS SPADs
    Jouni, Ali ; Malherbe, Victor ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 70 (2023), Heft 8, S. 1680-1686
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Fully Integrated Constant Fraction Discriminators (CFDs): Two Implementations in Submicrometer CMOS Technologies
    Garbolino, Sara ; Martoiu, Sorin ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 70 (2023), Heft 9, S. 2218-2225
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    A Compact Front-End Circuit for a Monolithic Sensor in a 65-nm CMOS Imaging Technology
    Piro, F. ; Rinella, G. Aglieri ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 70 (2023), Heft 9, S. 2191-2200
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Capacitive Deep Trench Isolation-Based CCD-on-CMOS Image Sensor Sensitivity to Total Ionizing Dose
    Salih Alj, Antoine ; Touron, Pierre ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 70 (2023), Heft 8, S. 2018-2026
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Calibration of the Deposited Energy in CMOS Imagers for Particle Detection on Nanosatellites
    Florczak, Josua ; Neubert, Tom ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 70 (2023), Heft 8, S. 1966-1972
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Design and Characterization of a Picosecond Timing ASIC in 55-nm CMOS
    Lu, Bo ; Huo, Jia ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 70 (2023), Heft 6, S. 1230-1239
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    A 14-Gb/s VCSEL Driver in 65-nm CMOS With a Power-Efficient Driving Structure for Particle Physics Experiments
    Chen, Qiangjun ; Sun, Quan ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 70 (2023), Heft 6, S. 1001-1006
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Physics-Based Analytical Formulation of the Soft Error Rate in CMOS Circuits
    Autran, Jean-Luc ; Munteanu, Daniela
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 70 (2023), Heft 5, S. 782-791
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Proton-Induced Displacement Damages in 2-D and Stacked CMOS SPADs: Study of Dark Count Rate Degradation
    Jouni, Ali ; Sicre, Mathieu ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 70 (2023), Heft 4, S. 515-522
    Online serialPeriodical
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    Volltext
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Radiation Monitor Extension for CMOS Imaging Instruments in Nanosatellites.
    Florczak, Josua ; Neubert, Tom ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-07-01), Heft 7, S. 1651-1658
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Single-Event Effects in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors: SET and SEL.
    Cai, Yulong ; Wen, Lin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-08-01), Heft 8, S. 1861-1868
    Online academicJournal
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    Annealing Effects on Radiation-Hardened CMOS Image Sensors Exposed to Ultrahigh Total Ionizing Doses.
    Dewitte, H. ; Rizzolo, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-07-01), Heft 7, S. 1284-1292
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    SIRIO: A High-Speed CMOS Charge-Sensitive Amplifier for High-Energy-Resolution X-γ Ray Spectroscopy With Semiconductor Detectors.
    Mele, Filippo ; Gandola, Massimo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-03-01), Heft 3, S. 379-383
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A Radiation-Hardened CMOS Image Sensor With Pixels Exhibiting a Negligibly Small Dark-Level Increase During Ionizing Radiation.
    Watanabe, Takashi ; Takeuchi, Tomoaki ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-08-01), Heft 8, S. 1835-1845
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Wavelet Analysis of RTS Noise in CMOS Image Sensors Irradiated With High-Energy Photons.
    Hendrickson, Ben ; Widenhorn, Ralf ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-07-01), Heft 7, S. 1732-1737
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    High Displacement Damage Dose Effects in Radiation Hardened CMOS Image Sensors.
    Rizzolo, Serena ; Le Roch, Alexandre ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-07-01), Heft 7, S. 1256-1262
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Proton and Gamma Radiation Effects on a Fully Depleted Pinned Photodiode CMOS Image Sensor.
    Meng, Xiao ; Stefanov, Konstantin D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-06-01), Heft 6, S. 1107-1113
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Transient Response in PPD CMOS Image Sensors Irradiated by Gamma Rays: Variation of Dose Rates and Integration Times.
    Wang, Zujun ; Xue, Yuanyuan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-06-01), Heft 6, S. 880-885
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Comparison of X-Ray and Electron Radiation Effects on Dark Current Non-Uniformity and Fluctuations in CMOS Image Sensors.
    Le Roch, Alexandre ; Virmontois, Cedric ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-02-01), Heft 2, S. 268-277
    Online academicJournal
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    Volltext
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