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    Dependence of Temperature and Back-Gate Bias on Single-Event Upset Induced by Heavy Ion in 0.2-μm DSOI CMOS Technology
    Han, Zhengsheng ; Zhang, Junjun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-08-01), S. 1660-1667
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    Effects of Bias and Temperature on the Dose-Rate Sensitivity of 65-nm CMOS Transistors
    Michelis, Stefano ; Costanzo, Sebastiano ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-05-01), S. 573-580
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    A New Floating-gate Radiation Sensor and Readout Circuit in Standard Single-Poly 130-nm CMOS Technology
    S. M. Rezaul Hasan ; Zhang, Chaoping
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-07-01), S. 1906-1915
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    Ionizing Radiation Effects on the Noise of 65 nm CMOS Transistors for Pixel Sensor Readout at Extreme Total Dose Levels
    Gaioni, Luigi ; Ratti, Lodovico ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), S. 550-557
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    nMOS Transistor Location Adjustment for N-Hit Single-Event Transient Mitigation in 65-nm CMOS Bulk Technology
    Zhenyu, Wu ; Chen, Shuming
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), S. 418-425
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    Temperature-Compensated MOS Dosimeter Fully Integrated in a High-Voltage 0.35 μm CMOS Process
    Lipovetzky, Jose ; Faigon, Adrian ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-06-01), S. 1118-1124
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    Single-Event Upset Characterization Across Temperature and Supply Voltage for a 20-nm Bulk Planar CMOS Technology
    Mahatme, N. N. ; Assis, T. R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), S. 2613-2619
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    CMOS Differential and Amplified Dosimeter with Field Oxide N-Channel MOSFETs
    Carra, M. J. ; L. Sambuco Salomone ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), S. 3466-3471
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    Radiation Tolerance of Devices and Circuits in a 3D Technology Based on the Vertical Integration of Two 130-nm CMOS Layers
    Ratti, Lodovico ; Manazza, Alessia ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), S. 4526-4532
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    Field Oxide n-channel MOS Dosimeters Fabricated in CMOS Processes
    Carra, M. J. ; Carbonetto, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), S. 4683-4691
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    Investigating Degradation Mechanisms in 130 nm and 90 nm Commercial CMOS Technologies Under Extreme Radiation Conditions
    Ratti, Lodovico ; Manghisoni, Massimo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 55 (2008-08-01), S. 1992-2000
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    A Bias-Dependent Single-Event Compact Model Implemented Into BSIM4 and a 90 nm CMOS Process Design Kit
    Amusan, O.A. ; Alles, Michael L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-12-01), S. 3152-3157
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    Comprehensive Study on the Total Dose Effects in a 180-nm CMOS Technology
    Chen, Ming ; Liu, Zhangli ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-06-01), S. 1347-1354
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    Circuit Modeling of Single-Event Transient Pulse Stretching in Digital CMOS
    Massengill, Lloyd W. ; Tuinenga, P.W.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-12-01), S. 3165-3171
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    Radiation Sensor Compatible With Standard CMOS Technology
    Picos, Rodrigo ; Bota, Sebastia ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-10-01), S. 2910-2915
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    Probing proton damage in SOI CMOS technology by using lateral bipolar action
    Niu, Guofu ; Patel, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 50 (2003-12-01), S. 1885-1890
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    Trade-Offs Between RF Performance and Total-Dose Tolerance in 45-nm RF-CMOS
    Sutton, Akil K. ; Seth, Sachin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), S. 2830-2837
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    Enhanced TID Susceptibility in Sub-100 nm Bulk CMOS I/O Transistors and Circuits
    Michael Lee McLain ; Wert, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 54 (2007-12-01), S. 2210-2217
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    Radiation Hardened by Design RF Circuits Implemented in 0.13 $\mu$m CMOS Technology
    Kiaei, Sayfe ; Chen, W. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 53 (2006-12-01), S. 3449-3454
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    Bias Dependence of Gate Oxide Degradation of 90 nm CMOS Transistors Under 60 MeV Proton Irradiation
    Mohammadzadeh, Ali ; David, Marie-Laure ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 53 (2006-08-01), S. 1959-1966
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