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    Synergistic Effects of TID and ATREE in Vertical NPN Bipolar Transistor
    Guizhen, Wang ; Chen, Wei ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-07-01), S. 1566-1573
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    The Effects of X-Ray and Proton Irradiation on a 200 GHz/90 GHz Complementary $(npn + pnp)$ SiGe:C HBT Technology
    Schrimpf, Ronald D. ; Tillack, Bernd ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 54 (2007-12-01), S. 2190-2195
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    Implications of radiation-induced dopant deactivation for npn bipolar junction transistors
    Mayer, D.C. ; Winokur, P.S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 47 (2000-12-01), S. 2281-2288
    Online unknown
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    Radiation tolerance of npn bipolar technology with 30 GHz Ft
    Flament, O. ; Synold, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 47 (2000-06-01), S. 654-658
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    Single Event Transient Hardness of a New Complementary (npn <formula formulatype='inline'><tex Notation='TeX'>$+$</tex></formula> pnp) SiGe HBT Technology on Thick-Film SOI
    Vizkelethy, G. ; Eddy, Robert ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, 2010-12-01
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    Relative Roles of Charge Accumulation and Interface States in Surface Degradation (NPN Planar Transistors)
    Sivo, Louis L.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 19 (1972), S. 305-312
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    Electron Irradiation of NPN Bipolar Transistors with Silicon Nitride Passivation
    Stanley, Alan G.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 15 (1968), S. 168-175
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    Single-Event Upset Mitigation in a Complementary SiGe HBT BiCMOS Technology
    Ildefonso, Adrian ; Lourenco, Nelson E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), S. 231-238
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    Single-Event Transient Response of Comparator Pre-Amplifiers in a Complementary SiGe Technology
    Paki, Pauline ; Cardoso, Adilson S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), S. 89-96
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    High Gamma Ray Tolerance for 4H-SiC Bipolar Circuits
    Ohshima, Takeshi ; Sethu Saveda Suvanam ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-02-01), S. 852-858
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    The Role of Negative Feedback Effects on Single-Event Transients in SiGe HBT Analog Circuits
    Cressler, John D. ; Khachatrian, Ani ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), S. 2599-2605
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    Single-Event Response of the SiGe HBT Operating in Inverse-Mode
    Moen, Kurt A. ; Phillips, S.D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-12-01), S. 2682-2690
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    Design of Digital Circuits Using Inverse-Mode Cascode SiGe HBTs for Single Event Upset Mitigation
    Phillips, S.D. ; Marshall, Cheryl J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, 2010-12-01
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    Radiation Hardened Silicon Devices Using a Novel Thick Oxide
    Kato, Masataka ; Okabe, Takahiro ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 32 (1985), S. 3971-3974
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    Radiation-Insensitive Silicon Oxynitride Films for Use in Silicon Devices
    Rand, M. J. ; Mitchell, J. P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 16 (1969-12-01), S. 211-219
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