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    TID and Heavy-Ion Performance of an RHBD Multichannel Digitizer in 180-nm CMOS
    Quilligan, G. ; Aslam, S.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-07-01), S. 1414-1422
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    Design-Stage Hardening of 65-nm CMOS Standard Cells Against Multiple Events
    Gorbunov, Maxim S. ; Galimov, Artur M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-08-01), S. 1712-1718
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    Effects of Bias and Temperature on the Dose-Rate Sensitivity of 65-nm CMOS Transistors
    Michelis, Stefano ; Costanzo, Sebastiano ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-05-01), S. 573-580
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    Study of SEU Sensitivity of SRAM-Based Radiation Monitors in 65-nm CMOS
    Leroux, Paul ; Thys, Sam ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-05-01), S. 913-920
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    Single-Event Effects Characterization of LC-VCO PLLs in a 28-nm CMOS Technology
    Gu, Cheng ; Patel, Maulik ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-09-01), S. 2042-2050
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    PETAL: A Multichannel Differential ADC Driver for High-Speed CMOS Image Sensors
    Grace, Carl ; Denes, Peter ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-06-01), S. 955-959
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    Nonstable Latchups in CMOS ICs Under Pulsed Laser Irradiation
    Chumakov, Alexander I. ; Shvetsov-Shilovskiy, I. I. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-07-01), S. 1540-1546
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    Transistor Width Effect on the Power Supply Voltage Dependence of α-SER in CMOS 6T SRAM
    Alheyasat, A. ; Torrens, G. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-05-01), S. 811-817
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    Single-Event Upset Responses of Metal–Oxide–Metal Capacitors and Diodes Used in Bulk 65-nm CMOS Analog Circuits
    Andeen, Timothy ; Parsons, John ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-04-01), S. 698-707
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    A Single-Event Transient-Tolerant High-Frequency CMOS Quadrature Phase Oscillator
    Rudrapati, Sivaramakrishna ; Jagtap, Sharayu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-09-01), S. 2072-2079
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    Radiation Effects in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors: Variation of Photodiode Implant Dose
    Belloir, Jean-Marc ; Estribeau, Magali ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-07-01), S. 1671-1681
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    Single-Event Latchup in a CMOS-Based ASIC Using Heavy Ions, Laser Pulses, and Coupled Simulation
    Calvel, Pierre ; Marie, Xavier ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-07-01), S. 1516-1522
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    Compact Modeling of Single-Event Latchup of Integrated CMOS Circuit
    Ducret, S. ; A. Al Youssef ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-07-01), S. 1510-1515
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    Fixed Pattern Noise and Temporal Noise Degradation Induced by Radiation Effects in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors
    Chen, Wei ; Ma, Wuying ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-06-01), S. 1264-1270
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    A Body-Biasing Technique for Single-Event Transient Mitigation in 28-nm Bulk CMOS Process
    Song, Shengyu ; Guo, Yang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-12-01), S. 2717-2723
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    Radiation-Induced Leakage Current and Electric Field Enhancement in CMOS Image Sensor Sense Node Floating Diffusions
    Belloir, Jean-Marc ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-03-01), S. 616-624
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    An SRAM-Based Radiation Monitor With Dynamic Voltage Control in 0.18- <tex-math notation='LaTeX'>$\mu$ </tex-math> m CMOS Technology
    Leroux, Paul ; Prinzie, Jeffrey ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019), S. 282-289
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    Power-Aware SE Analysis of Different FF Designs at the 14-/16-nm Bulk FinFET CMOS Technology Node
    Massengill, Lloyd W. ; Jiang, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-08-01), S. 1866-1871
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    High Displacement Damage Dose Effects in Radiation Hardened CMOS Image Sensors
    Goiffon, Vincent ; Marcelot, Olivier ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, 2020-07-01
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    Phosphorus Versus Arsenic: Role of the Photodiode Doping Element in CMOS Image Sensor Radiation-Induced Dark Current and Random Telegraph Signal
    Paillet, Philippe ; Marcelot, Olivier ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, 2020-07-01
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