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    academicJournal
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    Dependence of Temperature and Back-Gate Bias on Single-Event Upset Induced by Heavy Ion in 0.2-μm DSOI CMOS Technology
    Han, Zhengsheng ; Zhang, Junjun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-08-01), S. 1660-1667
    Online unknown
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    Effects of Bias and Temperature on the Dose-Rate Sensitivity of 65-nm CMOS Transistors
    Michelis, Stefano ; Costanzo, Sebastiano ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-05-01), S. 573-580
    Online unknown
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    A New Floating-gate Radiation Sensor and Readout Circuit in Standard Single-Poly 130-nm CMOS Technology.
    Zhang, Chaoping ; Hasan, S. M. Rezaul
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-07-01), Heft 7, S. 1906-1915
    Online academicJournal
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    Impacts of Proton Radiation on Heavy-Ion-Induced Single-Event Transients in 65-nm CMOS Technology.
    Wu, Zhenyu ; Chen, Shuming ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 177-183
    Online academicJournal
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    Radiation Hardness Comparison of CMOS Image Sensor Technologies at High Total Ionizing Dose Levels.
    Rizzolo, Serena ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 111-119
    Online academicJournal
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    A New Floating-gate Radiation Sensor and Readout Circuit in Standard Single-Poly 130-nm CMOS Technology
    S. M. Rezaul Hasan ; Zhang, Chaoping
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-07-01), S. 1906-1915
    Online unknown
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    Signal and Noise Performance of a 110-nm CMOS Technology for Photon Science Applications.
    Traversi, Gianluca ; Dinapoli, Roberto ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-04-01), Heft 4, S. 752-759
    Online academicJournal
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    Dependence of Temperature and Back-Gate Bias on Single-Event Upset Induced by Heavy Ion in 0.2-μm DSOI CMOS Technology.
    Wang, Yuchong ; Liu, Fanyu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-08-01), Heft 8, S. 1660-1667
    Online academicJournal
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    Impacts of Proton Radiation on Heavy-Ion-Induced Single-Event Transients in 65-nm CMOS Technology
    Huang, Pengcheng ; Zhenyu, Wu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019), S. 177-183
    Online unknown
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    Temperature-Compensated MOS Dosimeter Fully Integrated in a High-Voltage 0.35 μm CMOS Process.
    Carbonetto, Sebastian ; Echarri, Martin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-06-01), Heft 6, S. 1118-1124
    Online academicJournal
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    Ionizing Radiation Effects on the Noise of 65 nm CMOS Transistors for Pixel Sensor Readout at Extreme Total Dose Levels
    Gaioni, Luigi ; Ratti, Lodovico ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), S. 550-557
    Online unknown
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    nMOS Transistor Location Adjustment for N-Hit Single-Event Transient Mitigation in 65-nm CMOS Bulk Technology
    Zhenyu, Wu ; Chen, Shuming
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), S. 418-425
    Online unknown
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    Single-Event Upset Characterization Across Temperature and Supply Voltage for a 20-nm Bulk Planar CMOS Technology.
    Kauppila, J. S. ; Kay, W. H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2613-2619
    Online academicJournal
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    academicJournal
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    Temperature Dependence of MCU Sensitivity in 65 nm CMOS SRAM.
    Boruzdina, Anna B. ; Sogoyan, Armen V. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2860-2866
    Online academicJournal
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    Quadruple Well CMOS MAPS With Time-Invariant Processor Exposed to Ionizing Radiation and Neutrons.
    Ratti, Lodovico ; Traversi, Gianluca ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-08-01), Heft 4, S. 1763-1771
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Temperature-Compensated MOS Dosimeter Fully Integrated in a High-Voltage 0.35 μm CMOS Process
    Lipovetzky, Jose ; Faigon, Adrian ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-06-01), S. 1118-1124
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    Radiation-Hardening Technique for Voltage Reference Circuit in a Standard 130 nm CMOS Technology.
    Piccin, Y. ; Lapuyade, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-03-01), Heft 2, S. 967-974
    Online academicJournal
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    Radiation Tolerance of Devices and Circuits in a 3D Technology Based on the Vertical Integration of Two 130-nm CMOS Layers.
    Re, Valerio ; Gaioni, Luigi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), Heft 6, S. 4526-4532
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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