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    Combined Effects of Total Ionizing Dose and Temperature on a K-Band Quadrature LC-Tank VCO in a 32 nm CMOS SOI Technology.
    Loveless, T. D. ; Jagannathan, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, part 1, S. 204-211
    Online academicJournal
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    Irradiation and Temperature Effects for a 32 nm RF Silicon-on-Insulator CMOS Process.
    Haeffner, T. D. ; Loveless, T. D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3037-3042
    Online academicJournal
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    Impact of Proton Irradiation on the RF Performance of 65 nm SOT CMOS Technology.
    Madan, Anuj ; Phillips, Stanley D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-08-02), Heft 4, S. 1914-1924
    Online academicJournal
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    An Investigation of the SET Response of Devices and Differential Pairs in a 32-nm SOI CMOS Technology.
    Fleetwood, Zachary E. ; Lourenco, Nelson E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2643-2649
    Online academicJournal
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    An Investigation of Single Event Transient Response in 45-nm and 32-nm SOI RF-CMOS Devices and Circuits.
    England, Troy D. ; Arora, Rajan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), Heft 6, S. 4405-4411
    Online academicJournal
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    The Enhanced Role of Shallow-Trench Isolation in Ionizing Radiation Damage of 65 nm RF-CMOS on SOI
    Madan, Anuj ; Cheng, Peter F. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-12-01), S. 3256-3261
    Online unknown
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    Impact of Proton Irradiation on the RF Performance of 65 nm SOI CMOS Technology
    Phillips, S.D. ; Freeman, Gregory G. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-08-01), S. 1914-1919
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    Trade-Offs Between RF Performance and Total-Dose Tolerance in 45-nm RF-CMOS
    Sutton, Akil K. ; Seth, Sachin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), S. 2830-2837
    Online unknown
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    Trade-Offs Between RF Performance and Total-Dose Tolerance in 45-nm RF-CMOS.
    Arora, Rajan ; Zhang, En Xia ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 6, S. 2830-2837
    Online academicJournal
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    Ionizing Radiation Effects Spectroscopy for Analysis of Total-Ionizing Dose Degradation in RF Circuits
    McCurdy, Michael W. ; Boggs, Ryan C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019), S. 61-68
    Online unknown
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    Measurement and Analysis of Interconnect Crosstalk Due to Single Events in a 90 nm CMOS Technology.
    Balasubramanian, Anupama ; Amusan, Oluwole A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 55 (2008-08-01), Heft 4, S. 2079-2084
    Online academicJournal
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    Evaluating the Effects of Single Event Transients in FET-Based Single-Pole Double-Throw RF Switches.
    Cardoso, Adilson S. ; Chakraborty, Partha S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-03-01), Heft 2, S. 756-765
    Online academicJournal
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    Time-Domain Reflectometry Measurements of Total-Ionizing-Dose Degradation of nMOSFETs.
    Zhang, E. X. ; Fleetwood, D. M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), Heft 6, S. 4470-4475
    Online academicJournal
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    Sensitivity of High-Frequency RF Circuits to Total Ionizing Dose Degradation.
    Jagannathan, S. ; Loveless, T. D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), Heft 6, S. 4498-4504
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Modeling Single Event Crosstalk in Nanometer Technologies.
    Sayil, Selahattin ; Boorla, Vijay K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-10-15), Heft 5, S. 2493-2502
    Online academicJournal
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    Ionizing Radiation Effects Spectroscopy for Analysis of Total-Ionizing Dose Degradation in RF Circuits.
    Patel, B. ; Joplin, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 61-68
    Online academicJournal
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    Single-Event Latch-Up: Increased Sensitivity From Planar to FinFET.
    Karp, James ; Hart, Michael J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), Heft 1, S. 217-222
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    A Soft-Error Mitigated Microprocessor With Software Controlled Error Reporting and Recovery.
    Farnsworth, Chad ; Clark, Lawrence T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 63 (2016-08-01), Heft a4, S. 2241-2249
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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