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    Design-Stage Hardening of 65-nm CMOS Standard Cells Against Multiple Events
    Gorbunov, Maxim S. ; Galimov, Artur M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-08-01), S. 1712-1718
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    Effects of Bias and Temperature on the Dose-Rate Sensitivity of 65-nm CMOS Transistors
    Michelis, Stefano ; Costanzo, Sebastiano ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-05-01), S. 573-580
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    Study of SEU Sensitivity of SRAM-Based Radiation Monitors in 65-nm CMOS
    Leroux, Paul ; Thys, Sam ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-05-01), S. 913-920
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    Transistor Width Effect on the Power Supply Voltage Dependence of α-SER in CMOS 6T SRAM
    Alheyasat, A. ; Torrens, G. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-05-01), S. 811-817
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    A Single-Event Transient-Tolerant High-Frequency CMOS Quadrature Phase Oscillator
    Rudrapati, Sivaramakrishna ; Jagtap, Sharayu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-09-01), S. 2072-2079
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    Compact Modeling of Single-Event Latchup of Integrated CMOS Circuit
    Ducret, S. ; A. Al Youssef ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-07-01), S. 1510-1515
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    A Body-Biasing Technique for Single-Event Transient Mitigation in 28-nm Bulk CMOS Process
    Song, Shengyu ; Guo, Yang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-12-01), S. 2717-2723
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    Ionizing Radiation Effects on the Noise of 65 nm CMOS Transistors for Pixel Sensor Readout at Extreme Total Dose Levels
    Gaioni, Luigi ; Ratti, Lodovico ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), S. 550-557
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    nMOS Transistor Location Adjustment for N-Hit Single-Event Transient Mitigation in 65-nm CMOS Bulk Technology
    Zhenyu, Wu ; Chen, Shuming
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), S. 418-425
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    Comparison of a 65 nm CMOS Ring- and LC-Oscillator Based PLL in Terms of TID and SEU Sensitivity
    Prinzie, Jeffrey ; Moreira, Paulo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), S. 245-252
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    Temperature-Compensated MOS Dosimeter Fully Integrated in a High-Voltage 0.35 μm CMOS Process
    Lipovetzky, Jose ; Faigon, Adrian ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-06-01), S. 1118-1124
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    DFF Layout Variations in CMOS SOI—Analysis of Hardening by Design Options
    Reed, Robert A. ; Trippe, James M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-06-01), S. 1125-1132
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    A 32 kb Macro with 8T Soft Error Robust, SRAM Cell in 65-nm CMOS
    Jaspal Singh Shah ; Sachdev, Manoj ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-06-01), S. 1367-1374
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    A CMOS Triple Inter-Locked Latch for SEU Insensitivity Design
    Zhi, Tian ; Tianwen, Li ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), S. 3265-3273
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    Modeling of Elevated Temperatures Impact on Single Event Transient in Advanced CMOS Logics Beyond the 65-nm Technological Node
    Artola, Laurent ; Hubert, Guillaume
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-08-01), S. 1611-1617
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    Radiation Tolerance of Devices and Circuits in a 3D Technology Based on the Vertical Integration of Two 130-nm CMOS Layers
    Ratti, Lodovico ; Manazza, Alessia ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), S. 4526-4532
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    Field Oxide n-channel MOS Dosimeters Fabricated in CMOS Processes
    Carra, M. J. ; Carbonetto, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), S. 4683-4691
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
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    Single-Event Upsets in Substrate-Etched CMOS SOI SRAMs Using Ultraviolet Optical Pulses With Sub-Micrometer Spot Size
    Larue, C. ; Pouget, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), S. 4184-4191
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    Front end Electronics for SLHC Semiconductor Trackers in CMOS 90 nm and 130 nm Processes
    Kaplon, J. ; Noy, Matthew
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-08-01), S. 1611-1620
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