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    Characterization of the Total Charge and Time Duration for Single-Event Transient Voltage Pulses in a 65-nm CMOS Technology.
    Li, Zheyi ; Berti, Laurent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-07-01), Heft 7, S. 1593-1601
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    ASET and TID Characterization of a Radiation Hardened Bandgap Voltage Reference in a 28-nm Bulk CMOS Technology.
    Chen, Jianjun ; Chi, Yaqing ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-05-01), Heft 5, S. 1141-1147
    Online academicJournal
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    A 1- μ W Radiation-Hard Front-End in a 0.18- μ m CMOS Process for the MALTA2 Monolithic Sensor.
    Piro, F. ; Allport, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 1299-1309
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    Optimization of the 65-nm CMOS Linear Front-End Circuit for the CMS Pixel Readout at the HL-LHC.
    Gaioni, L. ; Manghisoni, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-11-01), Heft 11, S. 2682-2692
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    Study of SEU Sensitivity of SRAM-Based Radiation Monitors in 65-nm CMOS
    Leroux, Paul ; Thys, Sam ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-05-01), S. 913-920
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    Shunt Regulator for the Serial Powering of the ATLAS CMOS Pixel Detector Modules
    Barrillon, P. ; Pangaud, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-02-01), S. 455-463
    Online unknown
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    Transistor Width Effect on the Power Supply Voltage Dependence of α-SER in CMOS 6T SRAM
    Alheyasat, A. ; Torrens, G. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-05-01), S. 811-817
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    An SRAM-Based Radiation Monitor With Dynamic Voltage Control in 0.18- <tex-math notation='LaTeX'>$\mu$ </tex-math> m CMOS Technology
    Leroux, Paul ; Prinzie, Jeffrey ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019), S. 282-289
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    Power-Aware SE Analysis of Different FF Designs at the 14-/16-nm Bulk FinFET CMOS Technology Node
    Massengill, Lloyd W. ; Jiang, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-08-01), S. 1866-1871
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    Radiation-Hardened CMOS Negative Voltage Reference for Aerospace Application
    Hu, Shengdong ; Lin, Zhi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-09-01), S. 2505-2510
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    Single-Event Performance of Sense-Amplifier Based Flip-Flop Design in a 16-nm Bulk FinFET CMOS Process
    Assis, T. R. ; Zhang, Hangfang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), S. 477-482
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    Temperature-Compensated MOS Dosimeter Fully Integrated in a High-Voltage 0.35 μm CMOS Process
    Lipovetzky, Jose ; Faigon, Adrian ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-06-01), S. 1118-1124
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    Logic-I/O Threshold Comparing -Dosimeter in Radiation Insensitive Deep-Sub-Micron CMOS
    Mau-Chung Frank Chang ; Kim, Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 63 (2016-04-01), S. 1247-1250
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    Supply Voltage Dependency on the Single Event Upset Susceptibility of Temporal Dual-Feedback Flip-Flops in a 90 nm Bulk CMOS Process
    Aunet, Snorre ; Hasanbegovic, Amir
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-08-01), S. 1888-1897
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    Total-Ionizing Dose Effects on Charge Transfer Efficiency and Image Lag in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors
    Rizzolo, Serena ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, 2018
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    Neutron Radiation Induced Soft Error Rates for an Adjacent-ECC Protected SRAM in 28 nm CMOS
    Neale, Adam ; Sachdev, Manoj
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 63 (2016-06-01), S. 1912-1917
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    Single-Event Upset Characterization Across Temperature and Supply Voltage for a 20-nm Bulk Planar CMOS Technology
    Mahatme, N. N. ; Assis, T. R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), S. 2613-2619
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