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    Total Ionizing Dose Effects on Read Noise of MLC 3-D NAND Memories
    Surendranathan, Umeshwarnath ; Wasiolek, Maryla ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 69 (2022), Heft 3, S. 321-326
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Radiation-Induced Error Mitigation by Read-Retry Technique for MLC 3-D NAND Flash Memory
    Kumari, Preeti ; Surendranathan, Umeshwarnath ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 68 (2021), Heft 5, S. 1032-1039
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Gamma-Ray-Induced Error Pattern Analysis for MLC 3-D NAND Flash Memories
    Surendranathan, Umeshwarnath ; Kumari, Preeti ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 68 (2021), Heft 5, S. 733-739
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Total Ionizing Dose Effects on Read Noise of MLC 3-D NAND Memories
    Surendranathan, Umeshwarnath ; Wasiolek, Maryla ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-03-01), S. 321-326
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Radiation-Induced Error Mitigation by Read-Retry Technique for MLC 3-D NAND Flash Memory
    Wasiolek, Maryla ; Ray, Biswajit ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-05-01), S. 1032-1039
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Proton-Induced Upsets in SLC and MLC NAND Flash Memories
    Bagatin, M. ; Gerardin, S. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, Jg. 60 (2013), Heft 6, S. 4130-4135
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Total Ionizing Dose Effects on Long-Term Data Retention Characteristics of Commercial 3-D NAND Memories.
    Buddhanoy, Matchima ; Kumari, Preeti ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-03-01), Heft 3, S. 390-396
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Implications of the Logical Decode on the Radiation Response of a Multi-Level Cell NAND Flash Memory.
    Ingalls, J. David ; Gadlage, Matthew J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), Heft 6, S. 4451-4456
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Layer-Dependent Bit Error Variation in 3-D NAND Flash Under Ionizing Radiation.
    Kumari, Preeti ; Huang, Sijay ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-09-01), Heft 9, S. 2021-2027
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Using a Monolithic Active Pixel Sensor for Monitoring Multileaf Collimator Positions in Intensity Modulated Radiotherapy.
    Page, Ryan F. ; Abbott, Natalie L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-02-01), Heft 1, S. 74-78
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Heavy Ion and Proton-Induced Single Event Upset Characteristics of a 3-D NAND Flash Memory.
    Chen, Dakai ; Wilcox, Edward ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), Heft 1, S. 19-26
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Layer-Dependent Bit Error Variation in 3-D NAND Flash Under Ionizing Radiation
    Wasiolek, Maryla ; Ray, Biswajit ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-09-01), S. 2021-2027
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Using a Monolithic Active Pixel Sensor for Monitoring Multileaf Collimator Positions in Intensity Modulated Radiotherapy
    Lawrence, Henry ; Stevens, Paul ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-02-01), S. 74-78
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Implications of the Logical Decode on the Radiation Response of a Multi-Level Cell NAND Flash Memory
    Hunt, Ken ; J. David Ingalls ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), S. 4451-4456
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Heavy Ion and Proton-Induced Single Event Upset Characteristics of a 3D NAND Flash Memory
    Chen, Dakai ; Wilcox, Edward ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2017-10-20), Heft 1
    Online report
    Zugriff:
    View record in NASA Technical Reports (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Heavy Ion and Proton-Induced Single Event Upset Characteristics of a 3-D NAND Flash Memory
    Kim, Hak ; Ladbury, Raymond L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), S. 19-26
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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