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    Laser-Assisted Simulation of Dose-Rate Effects of Neutron-Irradiated NPN Transistors
    Tang, Ge ; Sun, Peng ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 69 (2022), Heft 5, S. 1167-1175
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Synergistic Effects of TID and ATREE in Vertical NPN Bipolar Transistor
    Li, Ruibin ; Wang, Chenhui ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 66 (2019), Heft 7, S. 1566-1573
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Laser-Assisted Simulation of Dose-Rate Effects of Neutron-Irradiated NPN Transistors
    Tang, Ge ; Sun, Peng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-05-01), S. 1167-1175
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Single Event Transient Hardness of a New Complementary (npn + pnp) SiGe HBT Technology on Thick-Film SOI : IEEE international nuclear and space radiation effects conference NSREC
    Wilcox, E.P. ; Phillips, S.D. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, Jg. 57 (2010), Heft 6, S. 3293-3297
    Online Konferenz
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Effect of Airgap Deep Trench Isolation on the Gamma Radiation Behavior of a 0.13 μm SiGe:C NPN HBT Technology : Radiation and its effects on components and systems RADECS
    Put, S. ; Simoen, E. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, Jg. 56 (2009), Heft 4, S. 2199-2205
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    The Effects of Radiation of 1/f Noise in Complementary (npn + pnp) SiGe HBTs : IEEE nuclear and space radiation effects conference; Selected papers from the 2004 IEEE nuclear and space radiation effects conference (NSREC '04)
    Zhao, E. ; Sutton, A. K. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, Jg. 51 (2004), Heft NO 6, S. 3243-3249
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Synergistic Effect of Ionization and Displacement Damage in NPN Transistors Caused by Protons With Various Energies
    Li, X. ; Liu, C. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, Jg. 62 (2015), Heft 3, S. 1375-1382
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Research on the Combined Effects of Ionization and Displacement Defects in NPN Transistors Based on Deep Level Transient Spectroscopy
    Xingji, L. ; Chaoming, L. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, Jg. 62 (2015), Heft 2, S. 555-564
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    On the Transient Response of a Complementary (npn Formula Not Shown pnp) SiGe HBT BiCMOS Technology
    Lourenco, N. E. ; Fleetwood, Z. E. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, Jg. 61 (2014), Heft 6, S. 3146-3153
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Evolution of Deep Level Centers in NPN Transistors Following 35 MeV Si Ion Irradiations With High Fluence
    Li, X. ; Liu, C. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, Jg. 61 (2014), Heft 1, S. 630-635
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    1/f noise model for NPN bipolar junction transistors based on radiation effect
    Zhao, Qifeng ; Zhuang, Yiqi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-08-01), Heft 4, S. 1682-1688
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Synergistic Effects of TID and ATREE in Vertical NPN Bipolar Transistor
    Guizhen, Wang ; Chen, Wei ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-07-01), S. 1566-1573
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Separation of Ionization Traps in NPN Transistors Irradiated by Lower Energy Electrons
    Xingji, L. ; Chaoming, L. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, Jg. 60 (2013), Heft 5, S. 3924-3931
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Synergistic effect of ionization and displacement damage in NPN transistors caused by protons with various energies
    Li, Xingji ; Liu, Chaoming ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-06-01), Heft 3, S. 1375-1382
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Simultaneous and Sequential Radiation Effects on NPN Transistors Induced by Protons and Electrons
    Li, X. ; Liu, C. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, Jg. 59 (2012), Heft 3, S. 625-633
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    The Effects of Proton and X-Ray Irradiation on the DC and AC Performance of Complementary (npn + pnp) SiGe HBTs on Thick-Film SOI
    Bellini, M. ; Jun, B. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, Jg. 54 (2007), Heft 6, S. 2245-2250
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    The Effects of X-Ray and Proton Irradiation on a 200 GHz/90 GHz Complementary (npn + pnp) SiGe:C HBT Technology
    Diestelhorst, R.M. ; Finn, S. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, Jg. 54 (2007), Heft 6, S. 2190-2195
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Evolution of deep level centers in NPN transistors following 35 MeV Si ion irradiations with high fluence
    Li, Xingji ; Liu, Chaoming ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-02-01), Heft 1, S. 630-635
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Bulk Damage in DMILL npn Bipolar Transistors Caused by Thermal Neutrons Versus Protons and Fast Neutrons
    Mandic, I. ; Cindro, V. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, Jg. 51 (2004), Heft 4, S. 1752-1758
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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