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    Characterization of a 28 nm CMOS Technology for Analog Applications in High Energy Physics
    Traversi, G. ; Gaioni, L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 71 (2024-04-01), Heft 4, S. 932-940
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Online Dark Count Rate Measurements in 150 nm CMOS SPADs Exposed to Low Neutron Fluxes
    Ratti, L. ; Brogi, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 71 (2024-04-01), Heft 4, S. 698-709
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Research on Single Event Transients in Linear Voltage Regulators in a 28 nm Bulk CMOS Technology
    Shen, F. ; Chen, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 71 (2024-04-01), Heft 4, S. 793-801
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Alpha Particle-Induced Persistent Effects in a COTS 3-D-Integrated CMOS Imager
    Hu, M.D. ; McCurdy, M.W. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 71 (2024-04-01), Heft 4, S. 759-769
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Effect of Proton Energy and Bias Conditions During Irradiation on CMOS Single-Photon Avalanche Diodes
    Jouni, A. ; Malherbe, V. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 71 (2024-04-01), Heft 4, S. 710-718
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A Novel Segmented SiPM Combined With Amplifiers on One Chip With Improved Single-Photon Timing Resolution in 0.35-μm CMOS
    Preitnacher, J. ; Ageev, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 71 (2024-03-01), Heft 3, S. 301-308
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    MiniCACTUS: A 65 ps Time Resolution Depleted Monolithic CMOS Sensor
    Degerli, Y. ; Guilloux, F. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 70 (2023-11-01), Heft 11, S. 2471-2478
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    The Propagation of Extended SET Tails in RF Amplifiers Using 45-nm CMOS on PDSOI
    Teng, J.W. ; Ringel, B.L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 70 (2023-08-01), Heft 8, S. 1829-1837
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Calibration of the Deposited Energy in CMOS Imagers for Particle Detection on Nanosatellites
    Florczak, J. ; Neubert, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 70 (2023-08-01), Heft 8, S. 1966-1972
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Fully Integrated Constant Fraction Discriminators (CFDs): Two Implementations in Submicrometer CMOS Technologies
    Garbolino, S. ; Martoiu, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 70 (2023-09-01), Heft 9, S. 2218-2225
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Capacitive Deep Trench Isolation-Based CCD-on-CMOS Image Sensor Sensitivity to Total Ionizing Dose
    Salih Alj, A. ; Touron, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 70 (2023-08-01), Heft 8, S. 2018-2026
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Study of Proton-Induced Defects in 40-nm CMOS SPADs
    Jouni, A. ; Malherbe, V. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 70 (2023-08-01), Heft 8, S. 1680-1686
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Physics-Based Analytical Formulation of the Soft Error Rate in CMOS Circuits
    Autran, J. ; Munteanu, D.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 70 (2023-05-01), Heft 5, S. 782-791
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Proton-Induced Displacement Damages in 2-D and Stacked CMOS SPADs: Study of Dark Count Rate Degradation
    Jouni, A. ; Sicre, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 70 (2023-04-01), Heft 4, S. 515-522
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    High-Voltage CMOS Active Pixel Sensor Chip With Counting Electronics for Beam Monitoring
    Weber, A. ; Ehrler, F. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 1288-1298
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Characterization of the Total Charge and Time Duration for Single-Event Transient Voltage Pulses in a 65-nm CMOS Technology
    Li, Z. ; Berti, L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-07-01), Heft 7, S. 1593-1601
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Radiation Monitor Extension for CMOS Imaging Instruments in Nanosatellites
    Florczak, J. ; Neubert, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-07-01), Heft 7, S. 1651-1658
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Probing Dark Current Random Telegraph Signal in a Small Pitch Vertically Pinned Photodiode CMOS Image Sensor After Proton Irradiation
    Antonsanti, A. ; Virmontois, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-07-01), Heft 7, S. 1506-1514
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    ASET and TID Characterization of a Radiation Hardened Bandgap Voltage Reference in a 28-nm Bulk CMOS Technology
    Chen, J. ; Chi, Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-05-01), Heft 5, S. 1141-1147
    Online academicJournal
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    A Compact Front-End Circuit for a Monolithic Sensor in a 65-nm CMOS Imaging Technology
    Piro, F. ; Rinella, G.A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 70 (2023-09-01), Heft 9, S. 2191-2200
    Online academicJournal
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