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    Online Dark Count Rate Measurements in 150 nm CMOS SPADs Exposed to Low Neutron Fluxes
    Ratti, L. ; Brogi, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 71 (2024-04-01), Heft 4, S. 698-709
    Online academicJournal
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    Research on Single Event Transients in Linear Voltage Regulators in a 28 nm Bulk CMOS Technology
    Shen, F. ; Chen, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 71 (2024-04-01), Heft 4, S. 793-801
    Online academicJournal
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    A Novel Segmented SiPM Combined With Amplifiers on One Chip With Improved Single-Photon Timing Resolution in 0.35-μm CMOS
    Preitnacher, J. ; Ageev, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 71 (2024-03-01), Heft 3, S. 301-308
    Online academicJournal
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    ASET and TID Characterization of a Radiation Hardened Bandgap Voltage Reference in a 28-nm Bulk CMOS Technology
    Chen, J. ; Chi, Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-05-01), Heft 5, S. 1141-1147
    Online academicJournal
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    Optimization of the 65-nm CMOS Linear Front-End Circuit for the CMS Pixel Readout at the HL-LHC
    Gaioni, L. ; Manghisoni, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-11-01), Heft 11, S. 2682-2692
    Online academicJournal
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    Evaluation of the Radiation Hardness of Photodiodes in 180-nm CMOS Technology for Medical Applications
    Segmanovic, F. ; Meinhardt, G. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-09-01), Heft 9, S. 2367-2374
    Online academicJournal
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    Effects of Bias and Temperature on the Dose-Rate Sensitivity of 65-nm CMOS Transistors
    Borghello, G. ; Faccio, F. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-05-01), Heft 5, S. 573-580
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    DCR Performance in Neutron-Irradiated CMOS SPADs From 150- to 180-nm Technologies
    Ratti, L. ; Brogi, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-07-01), Heft 7, S. 1293-1301
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Annealing Effects on Radiation-Hardened CMOS Image Sensors Exposed to Ultrahigh Total Ionizing Doses
    Dewitte, H. ; Rizzolo, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-07-01), Heft 7, S. 1284-1292
    Online academicJournal
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    A Single-Event Transient-Tolerant High-Frequency CMOS Quadrature Phase Oscillator
    Jagtap, S. ; Anmadwar, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-09-01), Heft 9, S. 2072-2079
    Online academicJournal
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    Signal and Noise Performance of a 110-nm CMOS Technology for Photon Science Applications
    Traversi, G. ; Dinapoli, R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-04-01), Heft 4, S. 752-759
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Impacts of Proton Radiation on Heavy-Ion-Induced Single-Event Transients in 65-nm CMOS Technology
    Wu, Z. ; Chen, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 177-183
    Online academicJournal
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    Characterization of Single-Event Transient Pulse Quenching among Dummy Gate Isolated Logic Nodes in 65 nm Twin-Well and Triple-Well CMOS Technologies
    Jianjun, C. ; Shuming, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-10-01), Heft 5, S. 2302-2309
    Online academicJournal
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    Single-Event Upset Characterization Across Temperature and Supply Voltage for a 20-nm Bulk Planar CMOS Technology
    Kauppila, J. S. ; Kay, W. H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6, S. 2613-2619
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    An Investigation of the SET Response of Devices and Differential Pairs in a 32-nm SOI CMOS Technology
    Fleetwood, Z. E. ; Lourenco, N. E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6, S. 2643-2649
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Single-Event Latchup Modeling Based on Coupled Physical and Electrical Transient Simulations in CMOS Technology
    Artola, L. ; Hubert, G. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3543-3549
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    Radiation-Hardening Technique for Voltage Reference Circuit in a Standard 130 nm CMOS Technology
    Piccin, Y. ; Lapuyade, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-04-01), Heft 2, S. 967-974
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Assessment of a Low-Power 65 nm CMOS Technology for Analog Front-End Design
    Manghisoni, M. ; Gaioni, L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-02-01), Heft 1, S. 553-560
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    High-Speed, Radiation-Tolerant Laser Drivers in 0.13 $\mu$m CMOS Technology for HEP Applications
    Mazza, G. ; Tavernier, F. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3653-3659
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    Radiation Tolerance of Devices and Circuits in a 3D Technology Based on the Vertical Integration of Two 130-nm CMOS Layers
    Re, V. ; Gaioni, L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), Heft 6, S. 4526-4532
    Online academicJournal
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