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    Temperature Distribution and Deposition Rate on Semiconductor Wafers in Low-Pressure CVD Equipment Processing Two Wafers
    WATANABE, Tomoji ; HIRASAWA, Shigeki
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 26 (2013), Heft 4, S. 572-577
    Online academicJournal
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    HDP-CVD STI oxide process with in situ postdeposition laterally enhanced sputter etchback for the reduction of pattern-dependent film topography in deep submicron technologies
    ABDELGADIR, Mahjoub Ali
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 19 (2006), Heft 1, S. 130-137
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Oxide HDP-CVD Modeling for Shallow Trench Isolation
    ROUSSY, Agnès ; DELACHET, Laura ; et al.
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 23 (2010), Heft 3, S. 400-410
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Dynamic simulation and optimization of Cu CVD unit process for environmentally benign manufacturing
    SOON, CHO ; WEI, LEI ; et al.
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 17 (2004), Heft 3, S. 455-469
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Reduction of PFC emissions to the environment through advances in CVD and etch processes
    JOHNSON, Andrew D ; RIDGEWAY, Robert G ; et al.
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 17 (2004), Heft 4, S. 491-496
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A CVD epitaxial deposition in a vertical barrel reactor : Process modeling using cluster-based fuzzy logic models
    CHIOU, J. C ; YANG, J. Y
    In: International Statistical Metrology Workshop, Jg. 11 (1998), Heft 4, S. 645-653
    Online Konferenz
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    Volltext
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    Artificial neural-network-based diagnosis of CVD barrel reactor
    BHATIKAR, Sanjay R ; MAHAJAN, Roop L
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 15 (2002), Heft 1, S. 71-78
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Advanced process control of a CVD tungsten reactor
    STEFANI, J. A ; POARCH, S ; et al.
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 9 (1996), Heft 3, S. 366-383
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Reduction of semiconductor process emissions by reactive gas optimization
    VARTANIAN, Victor ; GOOLSBY, Brian ; et al.
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 17 (2004), Heft 4, S. 483-490
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Direct Chemical Vapor Deposition of Large-Area Carbon Thin Films on Gallium Nitride for Transparent Electrodes: A First Attempt
    JIE, SUN ; COLE, Matthew T ; et al.
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 25 (2012), Heft 3, S. 494-501
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Transport Phenomena in a Novel Large MOCVD Reactor for Epitaxial Growth of GaN Thin Films
    LIANQIAO, YANG ; ZUNMIAO, CHEN ; et al.
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 25 (2012), Heft 1, S. 16-18
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Novel Dielectric-Constant Evaluation Method for Low-k Multilevel Metallization Structures in ULSI
    TAKIMOTO, Yoshio ; MAEDA, Nobuhide
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 22 (2009), Heft 2, S. 317-320
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Model predictive control of Si1_xGex thin film chemical-vapor deposition
    MIDDLEBROOKS, Scott A ; RAWLINGS, James B
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 20 (2007), Heft 2, S. 114-125
    Online academicJournal
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    Computationally efficient modeling of wafer temperatures in a low-pressure chemical vapor deposition furnace
    QINGHUA, HE ; QIN, S. Joe ; et al.
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 16 (2003), Heft 2, S. 342-350
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Modeling of a high throughput hot-wall reactor for selective epitaxial growth of silicon
    GALEWSKI, C ; OLDHAM, W. G
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 5 (1992), Heft 3, S. 169-179
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Embedded ferroelectric memory technology with completely encapsulated hydrogen barrier structure : Materials-related manufacturing issues in the nanochip era
    NAGANO, Yoshihisa ; MIKAWA, Takumi ; et al.
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 18 (2005), Heft 1, S. 49-54
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Neurofuzzy modeling of chemical vapor deposition processes
    GEISLER, J. P ; LEE, C. S. G ; et al.
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 13 (2000), Heft 1, S. 46-60
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Fuzzy logic models for thermally based microelectronic manufacturing processes
    HONG, XIE ; MAHAJAN, R. L ; et al.
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 8 (1995), Heft 3, S. 219-227
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Applied RTP optical modeling : an argument for model-based control
    SORRELL, F. Y ; SEUNGIL, YU ; et al.
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 7 (1994), Heft 4, S. 454-459
    Online academicJournal
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    Real-time multivariable control of PECVD silicon nitride film properties
    KNIGHT, T. J ; GREVE, D. W ; et al.
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 10 (1997), Heft 1, S. 137-146
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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