Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
91 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Verlag

Sprache

91 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Halo and LDD engineering for multiple VTH high performance analog CMOS devices
    GUO, Jyh-Chyum
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 20 (2007), Heft 3, S. 313-322
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Effect of tilt angle variations in a halo implant on Vth values for 0.14-μm CMOS devices
    SANTIESTEBAN, Ramon S ; ABELN, Glenn C ; et al.
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 16 (2003), Heft 4, S. 653-655
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Halo and LDD Engineering for Multiple VTH High Performance Analog CMOS Devices.
    Guo, Jyh-Chyurn
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 20 (2007-08-01), Heft 3, S. 313-322
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    A Threshold Voltage Deviation Monitoring Scheme of Bit Transistors in 6T SRAM for Manufacturing Defects Detection.
    Liu, Rui ; Li, Hao ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 37 (2024-05-01), Heft 2, S. 146-151
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Manufacturability of 20-nm ultrathin body fully depleted SOI devices with FUSI metal gates : Materials-related manufacturing issues in the nanochip era
    KRIVOKAPIC, Zoran ; MASZARA, Witold P ; et al.
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 18 (2005), Heft 1, S. 5-12
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Prediction and Control of Transistor Threshold Voltage by Virtual Metrology (Virtual PCM) Using Equipment Data.
    Tanaka, Tomoya ; Yasuda, Satoshi
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 26 (2013-08-01), Heft 3, S. 339-343
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Effect of SiO 2 Interfacial Layer Reduction on MFSFET With 5 nm-Thick Ferroelectric Nondoped HfO 2 by Deposition Rate Control.
    Ohmi, Shun-ichiro ; Tanuma, Masakazu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 36 (2023-11-01), Heft 4, S. 553-557
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Monitoring Test Structure for Plasma Process-Induced Charging Damage Using Charge-Based Capacitance Measurements.
    Mori, Shigetaka ; Ogawa, Kazuhisa ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 29 (2016-08-01), Heft 3, S. 185-192
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    A Simple Test Structure for Evaluating the Variability in Key Characteristics of a Large Number of MOSFETs.
    Watabe, Shunichi ; Teramoto, Akinobu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 25 (2012-05-01), Heft 2, S. 145-154
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Random Work-Function-Induced Threshold Voltage Fluctuation in Metal-Gate MOS Devices by Monte Carlo Simulation.
    Li, Yiming ; Cheng, Hui-Wen
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 25 (2012-05-01), Heft 2, S. 266-271
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Statistical Simulation of Static Noise Margin Variability in Static Random Access Memory.
    Li, Yiming ; Cheng, Hui-Wen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 23 (2010-11-01), Heft 4, S. 509-516
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Statistical Approach for Yield Optimization for Minimum Energy Operation in Subthreshold Circuits Considering Variability Issues.
    Nomani, Md. Waliullah Khan ; Anis, Mohab ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 23 (2010-02-01), Heft 1, S. 77-86
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Rigorous Extraction of Process Variations for 65-nm CMOS Design.
    Zhao, Wei ; Liu, Frank ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 22 (2009-02-01), Heft 1, S. 196-203
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Study of 90-nm MOSFET Subthreshold Hump Characteristics Using Newly Developed MOSFET Array Test Structure.
    Mizumura, Akira ; Oishi, Tetsuya ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 19 (2006-02-01), Heft 1, S. 19-26
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Evaluation of Transistor Property Variations Within Chips on 300-mm Wafers Using a New MOSFET Array Test Structure.
    Izumi, Naoki ; Ozaki, Hiroji ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 17 (2004-08-01), Heft 3, S. 248-254
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Statistical Simulation of Static Noise Margin Variability in Static Random Access Memory
    YIMING, LI ; CHENG, Hui-Wen ; et al.
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 23 (2010), Heft 4, S. 509-516
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Statistical Approach for Yield Optimization for Minimum Energy Operation in Subthreshold Circuits Considering Variability Issues
    WALIULLAH KHAN NOMANI, Md ; ANIS, Mohab ; et al.
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 23 (2010), Heft 1, S. 77-86
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Accurate statistical process variation analysis for 0.25-μm CMOS with advanced TCAD methodology
    SATO, H ; KUNITOMO, H ; et al.
    In: International Statistical Metrology Workshop, Jg. 11 (1998), Heft 4, S. 575-582
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Variability Improvement by Si Surface Flattening of Electrical Characteristics in MOSFETs With High-k HfON Gate Insulator.
    Ohmi, Shun-ichiro ; Kudoh, Sohya ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 28 (2015-08-01), Heft 3, S. 266-271
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Robust Analog Design for Automotive Applications by Design Centering With Safe Operating Areas.
    Sobe, Udo ; Rooch, Karl-Heinz ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 22 (2009-05-01), Heft 2, S. 217-224
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -