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    Preparation and Application of Sol-Gel Polishing Pad for Polishing CVD Single Crystal Diamond at High Speed
    Lu, J. ; Deng, A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 35 (2022-05-01), Heft 2, S. 318-323
    Online academicJournal
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    Influence and Suppression of Harmful Effects Due to By-Product in CVD Reactor for 4H-SiC Epitaxy
    Daigo, Y. ; Watanabe, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 34 (2021-08-01), Heft 3, S. 340-345
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Process Optimization and Modeling of the Silicon Growth in Trichlorosilane-Hydrogen Gas Mixture in a Planetary CVD Reactor
    Ramadan, Z. ; Im, I. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 34 (2021-02-01), Heft 1, S. 1-8
    Online academicJournal
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    HDP-CVD STI oxide process with in situ post deposition laterally enhanced sputter etchback for the reduction of pattern-dependent film topography in deep submicron technologies
    Abdelgadir, M.A.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 19 (2006-02-01), Heft 1, S. 130-137
    Online academicJournal
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    Oxide HDP-CVD Modeling for Shallow Trench Isolation
    Roussy, A. ; Delachet, L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 23 (2010-08-01), Heft 3, S. 400-410
    Online academicJournal
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    Reduction of PFC emissions to the environment through advances in CVD and etch processes
    Johnson, A.D. ; Ridgeway, R.G. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 17 (2004-11-01), Heft 4, S. 491-496
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Chemical Mechanical Polishing of Single-Crystalline Diamond Epitaxial Layers for Electronics Applications
    Hardy, A. ; Muehle, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 37 (2024-05-01), Heft 2, S. 190-198
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Pioneering Fast and Safe Low-k Silicon Dioxide Synthesis for Modern Integrated Circuits
    Chow, Y. ; Chao, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 37 (2024-05-01), Heft 2, S. 185-189
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Modeling of Epitaxial Silicon Growth From the DCS-H2-HCl System in a Large Scale CVD Reactor
    Ramadan, Z. ; Abdelmotalib, H.M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 31 (2018-08-01), Heft 3, S. 363-363
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Temperature Distribution and Deposition Rate on Semiconductor Wafers in Low-Pressure CVD Equipment Processing Two Wafers
    Watanabe, T. ; Hirasawa, S.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 26 (2013-11-01), Heft 4, S. 572-577
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Dynamic simulation and optimization of Cu CVD unit process for environmentally benign manufacturing
    Cho, Soon ; Lei, Wei ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 17 (2004-08-01), Heft 3, S. 455-469
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Defect Reduction in ArF Immersion Lithography Using Particle Trap Wafers With CVD Thin Films
    Matsui, Y. ; Onoda, N. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 22 (2009-11-01), Heft 4, S. 438-442
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    Artificial neural-network-based diagnosis of CVD barrel reactor
    Bhatikar, S.R. ; Mahajan, R.L.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 15 (2002-02-01), Heft 1, S. 71-78
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Advanced process control of a CVD tungsten reactor
    Stefani, J.A. ; Poarch, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 9 (1996-08-01), Heft 3, S. 366-383
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A CVD epitaxial deposition in a vertical barrel reactor: process modeling using cluster-based fuzzy logic models
    Chiou, J.C. ; Yang, J.Y.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 11 (1998-11-01), Heft 4, S. 645-653
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Reduction of semiconductor process emissions by reactive gas optimization
    Vartanian, V. ; Goolsby, B. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 17 (2004-11-01), Heft 4, S. 483-490
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    ${\rm TiCl}_{4}$ Soak on NiSi: Selective Formation of Pure Sub-Nanometer NiTi to Reduce Contact Resistance
    Futase, T. ; Hashikawa, N. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 24 (2011-05-01), Heft 2, S. 325-332
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    Development of the Virtual Metrology for the Nitride Thickness in Multi-Layer Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Using Plasma-Information Variables
    Roh, H. ; Ryu, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 31 (2018-05-01), Heft 2, S. 232-232
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    Novel Dielectric-Constant Evaluation Method for Low-$k$ Multilevel Metallization Structures in ULSI
    Takimoto, Y. ; Maeda, N.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 22 (2009-05-01), Heft 2, S. 317-320
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Model Predictive Control of ${\hbox{Si}}_{1-x}{\hbox{Ge}}_{x}$ Thin Film Chemical–Vapor Deposition
    Middlebrooks, S. A. ; Rawlings, J. B.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 20 (2007-05-01), Heft 2, S. 114-125
    Online academicJournal
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