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    CMOS-Compatible MESFETs for High Power RF Integrated Circuits
    Mehr, P. ; Moallemi, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 32 (2019-02-01), Heft 1, S. 14-22
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Abnormal Silicon-Germanium (SiGe) Epitaxial Growth in FinFETs
    Bhat, T.S. ; Shintri, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 33 (2020-05-01), Heft 2, S. 291-294
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Investigation of Anomalous Inversion C–V Characteristics for Long-Channel MOSFETs With Leaky Dielectrics: Mechanisms and Reconstruction
    Lee, W. ; Su, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 21 (2008-02-01), Heft 1, S. 104-109
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Deep Learning Approach to Inverse Grain Pattern of Nanosized Metal Gate for Multichannel Gate-All-Around Silicon Nanosheet MOSFETs
    Akbar, C. ; Li, Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 34 (2021-11-01), Heft 4, S. 513-520
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Two Transistors Voltage-Measurement-Based Test Structure for Fast MOSFET Device Mismatch Characterization
    Brito, J.P.M. ; Bampi, S.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 33 (2020-05-01), Heft 2, S. 166-173
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Analysis and Characterization of Capacitance Variation Using Capacitance Measurement Array
    Zhang, P. ; Feng, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 27 (2014-05-01), Heft 2, S. 301-301
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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