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    Power-On Reset Circuit in 180-nm CMOS With Brownout Detection, Stable Switching Points, Long Reset Pulse Duration, and Resilience to Switching Noise.
    Antonov, Andrei A. ; Karpovich, Maksim S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, Jg. 30 (2022-10-01), Heft 10, S. 1373-1380
    Online academicJournal
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    A 10-Gb/s Eye-Opening Monitor Circuit for Receiver Equalizer Adaptations in 65-nm CMOS
    Tsao, Hen-Wai ; Lin, Yu-Chuan
    In: IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, Jg. 28 (2020), S. 23-34
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    Offset-Canceling Single-Ended Sensing Scheme With One-Bit-Line Precharge Architecture for Resistive Nonvolatile Memory in 65-nm CMOS
    Kang, Seung H. ; Na, Taehui ; et al.
    In: IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, Jg. 27 (2019-11-01), S. 2548-2555
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    Battery-powered digital CMOS design
    PEDRAM, Massoud ; QING, WU
    In: IEEE transactions on very large scale integration (VLSI) systems, Jg. 10 (2002), Heft 5, S. 601-607
    Online academicJournal
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    A 13.56-MHz CMOS Active Rectifier With a Voltage Mode Switched-Offset Comparator for Implantable Medical Devices
    Sanchez-Sinencio, Edgar ; Zhang, Minglei ; et al.
    In: IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, Jg. 26 (2018-10-01), S. 2050-2060
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    A Low-Power Forward and Reverse Body Bias Generator in CMOS 40 nm
    Wu, Chundong ; Wang, Lei ; et al.
    In: IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, Jg. 26 (2018-07-01), S. 1403-1407
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    An Electrical Model for Nanometer CMOS Device Stress Effect in Design and Simulation of Analog Reference Circuits
    Wang, Dong ; Pak Kwong Chan
    In: IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, Jg. 26 (2018-05-01), S. 958-968
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    A Dynamic Leakage and Slew Rate Compensation Circuit for 40-nm CMOS Mixed-Voltage Output Buffer
    Lee, Tzung-Je ; Lin, Wei ; et al.
    In: IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, Jg. 25 (2017-11-01), S. 3166-3174
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    A Process-Independent and Highly Linear DCO for Crowded Heterogeneous IoT Devices in 65-nm CMOS
    Mohammad Bagher Ghaznavi-Ghoushchi ; Gorji, J.
    In: IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, Jg. 25 (2017-12-01), S. 3369-3379
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    A 170-dB $\Omega $ CMOS TIA With 52-pA Input-Referred Noise and 1-MHz Bandwidth for Very Low Current Sensing
    Rezaee-Dehsorkh, Hamidreza ; Taherzadeh-Sani, Mohammad ; et al.
    In: IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, Jg. 25 (2017-05-01), S. 1756-1766
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    A 0.13- $\mu \text{m}$ CMOS Dynamically Reconfigurable Charge Pump for Electrostatic MEMS Actuation
    Abdul Hafiz Alameh ; Nabki, Frederic
    In: IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, Jg. 25 (2017-04-01), S. 1261-1270
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    Anti-PVT-Variation Low-Power Time-to-Digital Converter Design Using 90-nm CMOS Process
    Suresh, P.K. ; Chao, Kuan-Yu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, Jg. 28 (2020-09-01), S. 2069-2073
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