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    Single event transient mitigation techniques for a cross‐coupled LC oscillator, including a single‐event transient hardened CMOS LC‐VCO circuit
    Karthigeyan, Arumugam ; Manikandan, Esakkimuthu ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 16 (2021-08-28), S. 178-188
    Online unknown
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    A 128 Gbps PAM‐4 feed forward equaliser with optimized 1UI pulse generator in 65 nm CMOS
    Wang, Jiawei ; Xu, Hao ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 17 (2023-02-08), S. 174-179
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    A 1.0 fJ energy/bit single‐ended 1 kb 6T SRAM implemented using 40 nm CMOS process
    Wang, Chua‐Chin ; Ralph Gerard B. Sangalang ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 17 (2023-01-10), S. 75-87
    Online unknown
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    Low‐power hybrid memristor‐CMOS spiking neuromorphic STDP learning system
    Janaina Gonçalves Guimarães ; Maranhao, Gabriel
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 15 (2021-03-11), S. 237-250
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    Performance improvement of timing and power variations due to random dopant fluctuation in negative‐capacitance CMOS inverters
    Si, Peng ; Zhao, Zhifeng ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 14 (2020-09-01), S. 908-914
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    Thermal synergies in 50 nanometer CMOS and below
    Shoucair, F.S.
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 15 (2021-02-10), S. 183-196
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    A CMOS slew‐rate controlled output driver with low process, voltage and temperature variations using a dual‐path signal‐superposition technique
    Gui, Xiaoyan ; Tang, Renjie ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 17 (2022-10-30), S. 13-28
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    3‐5 GHz multifinger CMOS LNA using a simultaneous noise and impedance matching technique by a significant reduction of broadband impedance variation of metal–oxide–semiconductor field effect transistor
    Reza, Sakib ; Roy, Apratim
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 14 (2020-10-01), S. 956-965
    Online unknown
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    Analysis and mathematical modelling of charge injection effect for efficient performance of CMOS imagers and CDS circuit
    Tiwari, Ashish ; Talwekar, R. H.
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 14 (2020-10-01), S. 1038-1048
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    11 Gb/s 140 GHz OOK modulator with 24.6 dB isolation utilising cascaded switch and amplifier‐based stages in 65 nm bulk CMOS
    Iizuka, Tetsuya ; Hara, Takafumi ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 14 (2020-03-04), S. 322-326
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    Symbiotic organisms search algorithm for optimal design of CMOS two‐stage op‐amp with nulling resistor and robust bias circuit
    Bishnu Prasad De ; Ghosh, Sumalya ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 13 (2019-07-12), S. 679-688
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    Effects of asymmetric underlap spacers on nanoscale junctionless transistors and design of optimised CMOS amplifiers
    Roy, Debapriya ; Biswas, Abhijit
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 13 (2019-06-03), S. 510-518
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    Four‐stage CMOS amplifier: frequency compensated using differential block
    Khalesi, Hassan ; Ghods, Vahid ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 14 (2020-08-31), S. 762-769
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    Design and optimisation of high‐efficient class‐F ULP‐PA using envelope tracking supply bias control for long‐range low power wireless local area network IEEE 802.11ah standard using 65 nm CMOS technology
    Muhammad Ovais Akhter ; Najam Muhammad Amin ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 16 (2022-07-18), S. 553-568
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    A 1–5 GHz 22 mW receiver frontend with active‐feedback baseband and voltage‐commutating mixers in 65 nm CMOS
    Guo, Benqing ; Wang, Haishi ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 16 (2022-06-15), S. 543-552
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A 5.5–7.5‐GHz band‐configurable wake‐up receiver fully integrated in 45‐nm RF‐SOI CMOS
    Ma, Rui ; Protze, Florian ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 16 (2022-06-09), S. 525-542
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    Sizing of the CMOS 6T‐SRAM cell for NBTI ageing mitigation
    Chenouf, Amel ; Bentarzi, Hamid ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 14 (2020-04-30), S. 555-561
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    6.25 GHz, 1 mV input resolution auxiliary circuit assisted comparator in 65 nm CMOS process
    Nithin Kumar Y., B ; Bonizzoni, Edoardo ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 14 (2020-03-06), S. 340-346
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    Compact and high‐linearity 77 GHz CMOS receiver front‐end for automotive radar
    Pan, Dongfang ; Sun, Liguo ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 13 (2019-10-25), S. 1203-1208
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    Ultra‐low voltage, power efficient continuous‐time filters in 180 nm CMOS technology
    Rekha, S. ; Vasantha Moodabettu Harishchandra ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 13 (2019-10-01), S. 988-997
    Online unknown
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