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    Effects of asymmetric underlap spacers on nanoscale junctionless transistors and design of optimised CMOS amplifiers
    Roy, Debapriya ; Biswas, Abhijit
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 13 (2019-06-03), S. 510-518
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    65 nm CMOS switching discontinuous‐conduction mode buck converter with 330 ns start‐up time for light‐load power‐cycled applications
    Taherzadeh-Sani, Mohammad ; Nabki, Frederic ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 11 (2017-01-17), S. 267-273
    Online unknown
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    Subthreshold CMOS voltage reference circuit with body bias compensation for process variation
    Liang, Guo ; Zhu, Dazhong ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 6 (2012), S. 198-198
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    Near threshold voltage digital PLL using low voltage optimised blocks for AR display system
    Kim, Chulwoo ; Lee, Sangsu ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 14 (2020-01-30), S. 155-158
    Online unknown
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    1.8 V, 25.9 nW, 91.86 dB dynamic range second‐order lowpass filter tunable in the range 4–100 Hz
    Jayaram Reddy Machha Krishna Reddy ; Laxminidhi, Tonse
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 13 (2019-10-01), S. 1086-1092
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    Fast transient low‐dropout regulator with undershoot and settling time reduction technique
    Lee, Sung-Hwan ; Kwon, Ickjin
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 13 (2019-07-12), S. 783-786
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    Locking range enhancement of divide‐by‐two injection locked frequency divider using phase shift technique
    Ghonoodi, Hojat ; Mokhtabad, Saman
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 11 (2017-08-22), S. 452-456
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    Two‐stage current‐reused variable‐gain low‐noise amplifier for X‐band receivers in 65 nm complementary metal oxide semiconductor technology
    Ghasemian, Hossein ; Mohammad Reza Salehi ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 12 (2018-06-15), S. 630-637
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    11.39 fJ/conversion‐step 780 kS/s 8 bit switched capacitor‐based area and energy‐efficient successive approximation register ADC in 90 nm complementary metal–oxide–semiconductor
    Tonse, Laxminidhi ; Mujoor Sankaranarayana Bhat ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 12 (2018-01-15), S. 249-255
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    Low‐jitter, high‐linearity current‐controlled complementary metal oxide semiconductor relaxation oscillator with optimised floating capacitors
    Zhu, Jing ; Zhang, Yunwu ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 8 (2014-11-01), S. 509-515
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Double gate symmetric tunnel FET: investigation and analysis
    Ramaswamy, Sindhu ; M. Jagadesh Kumar
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 11 (2017-01-17), S. 365-370
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    Dual‐band quadrature voltage‐controlled oscillator using differential inner‐diamond‐structure switchable inductor
    Yu Ting Chen ; Tsai, Pei-Kang ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 7 (2013-11-01), S. 368-375
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Adaptive line voltage compensation scheme for a source‐driving controlled AC–DC LED driver
    Jiang, Tianlin ; Chen, Yao ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 11 (2017), S. 21-28
    Online unknown
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    Ultralow‐power fast‐transient output‐capacitor‐less low‐dropout regulator with advanced adaptive biasing circuit
    Zhang, Bo ; Zhou, Ze-kun ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems, Jg. 9 (2015-05-01), S. 172-180
    Online unknown
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