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    Infrared photoluminescence imaging of infrared materials: HgCdTe/Cd(Zn)Te heterostructures
    SOCHINSKII, N. V ; BABENTSOV, V. N ; et al.
    In: 7th AITA Conference 2003: Workshop on Advanced Infrared Technology, 9-11 September 2003, Pisa, Italy, Jg. 46 (2004), Heft 1-2, S. 181-184
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Characterization of liquid phase epitaxial GaAs for blocked-impurity-band far-infrared detectors
    CARDOZO, B. L ; REICHERTZ, L. A ; et al.
    In: Infrared physics & technology, Jg. 46 (2005), Heft 5, S. 400-407
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Alternate contrast pixel-less IR image simulator
    BOLGOV, S. S ; MALYUTENKO, O. Yu
    In: Infrared physics & technology, Jg. 45 (2004), Heft 4, S. 249-252
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Influence of the Sb dopant distribution on far infrared photoconductivity in Ge :Sb blocked impurity band detectors
    BANDARU, Jordana ; BEEMAN, Jeffrey W ; et al.
    In: Infrared physics & technology, Jg. 43 (2002), Heft 6, S. 353-360
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Optical and photoelectrical properties of Hg1-xCdxTe/CdTe epitaxial films with graded band gap
    IVASIV, Z. F ; TETYORKIN, V. V ; et al.
    In: Infrared physics & technology, Jg. 42 (2001), Heft 2, S. 61-67
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Liquid phase epitaxy grown PbSnSeTe/PbSe double heterostructure diode lasers
    FEIT, Z ; FUCHS, J ; et al.
    In: Infrared physics & technology, Jg. 37 (1996), Heft 4, S. 439-443
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Photoluminescence of epitaxial InAs produced by different growth methods
    FISHER, M ; KRIER, A
    In: Infrared physics & technology, Jg. 38 (1997), Heft 7, S. 405-413
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Electrical and photoelectrical properties of isotype N+-GaSb/n0-GaInAsSb type II heterojunctions
    AFRAILOV, M. A
    In: Infrared physics & technology, Jg. 45 (2004), Heft 3, S. 169-175
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    High performance uncooled InAsSbP/InGaAs photodiodes for the 1.8-3.4 μm wavelength range
    KRIER, A ; MAO, Y
    In: Infrared physics & technology, Jg. 38 (1997), Heft 7, S. 397-403
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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