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    High and abrupt breakdown voltage In0.15Ga0.85As0.14Sb0.86/GaSb junctions grown by LPE
    Compeán-Jasso, V.H. ; de Anda-Salazar, F. ; et al.
    In: Infrared Physics and Technology, Jg. 79 (2016-11-01), S. 32-35
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Band to band optical absorption in LPE-growth InAs0.94Sb0.06 film
    Lv, Y.F. ; Hu, S.H. ; et al.
    In: Infrared Physics and Technology, Jg. 71 (2015-07-01), S. 175-178
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Mid-infrared photoluminescence of InAsN dilute nitride alloys grown by LPE and MBE
    de la Mare, M. ; Zhuang, Q. ; et al.
    In: Infrared Physics and Technology, Jg. 55 (2012-09-01), Heft 5, S. 399-402
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Characterization of photodiodes, made from a p-type epitaxial layer grown on n-type InSb by LPE method
    Sareminia, Gh. ; Hajian, M. ; et al.
    In: Infrared Physics and Technology, Jg. 53 (2010), Heft 5, S. 315-319
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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