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    Effects of composition and thickness of TiN metal gate on the equivalent oxide thickness and flat-band voltage in metal oxide semiconductor devices
    LEE, Seok-Hee ; CHOI, Rino ; et al.
    In: Insulating Films on Semiconductors 2013, Jg. 109 (2013), S. 160-162
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Resistive switching effect on Al2O3/InGaAs stacks
    PALUMBO, F ; SHEKHTER, P ; et al.
    In: Insulating Films on Semiconductors 2013, Jg. 109 (2013), S. 83-86
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Identification of the (√E + 1/E)-dependence of porous low-k time dependent dielectric breakdown using over one year long package level tests
    CHERY, E ; FEDERSPIEL, X ; et al.
    In: Insulating Films on Semiconductors 2013, Jg. 109 (2013), S. 90-93
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Ge gate stacks based on Ge oxide interfacial layers and the impact on MOS device properties
    TAKAGI, Shinichi ; RUI, ZHANG ; et al.
    In: Insulating Films on Semiconductors 2013, Jg. 109 (2013), S. 389-395
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Gate-first n-MOSFET with a sub-0.6-nm EOT gate stack
    CHENG, C. H ; CHOU, K. I ; et al.
    In: Insulating Films on Semiconductors 2013, Jg. 109 (2013), S. 35-38
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    First demonstration of device-quality symmetric N-MOS and P-MOS capacitors on p-type and n-type crystalline Ge substrates
    LUCOVSKY, G ; KIM, J. W ; et al.
    In: Insulating Films on Semiconductors 2013, Jg. 109 (2013), S. 370-373
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Analytical model for anomalous Positive Bias Temperature Instability in La-based HfO2 nFETs based on independent characterization of charging components
    TOLEDANO-LUQUE, M ; KACZER, B ; et al.
    In: Insulating Films on Semiconductors 2013, Jg. 109 (2013), S. 314-317
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Towards understanding hole traps and NBTI of Ge/GeO2/Al2O3 structure
    MA, J ; ZHANG, J. F ; et al.
    In: Insulating Films on Semiconductors 2013, Jg. 109 (2013), S. 43-45
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Stress induced defect generation implications of doping HfO2 with Al
    O'CONNOR, R ; KAUERAUF, T ; et al.
    In: Insulating Films on Semiconductors 2013, Jg. 109 (2013), S. 54-56
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
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