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    A Novel 0.79mum^2 SRAM Cell by KrF Lithography and High Performance 90nm CMOS Technology for Ultra High Speed SRAM : International electron devices meeting
    Jung, S. M. ; Kwon, H. ; et al.
    In: INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, 2002, S. 419-422
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    SALVO Process for Sub-50 nm Low-V~T Replacement Gate CMOS with KrF Lithography : International electron devices meeting
    Chang, C. P. ; Vuong, H. H. ; et al.
    In: INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, 2000, S. 53-56
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Level-Specific Strategy of KrF Microlithography for 130 nm DRAMs : International electron devices meeting
    Inoue, S. ; Asano, M. ; et al.
    In: INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, 1999, S. 809-812
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Level-Specific Strategy of KrF Microlithography for 130 nm DRAMs
    Inoue, S. ; Asano, M. ; et al.
    In: INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, 1999, S. 809-814
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    0.1m̆ Level Contact Hole Pattern Formation with KrF Lithography by Resolution Enhancement Lithography Assisted by Chemical Shrink (RELACS) : International electron devices meeting
    Toyoshima, T. ; Ishibashi, T. ; et al.
    In: INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, , S. 333-336
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    0.12 m̆ Hole Pattern Formation by KrF Lithography for Giga Bit DRAM : Electron devices
    Nakao, S. ; Nakae, A. ; et al.
    In: INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, , S. 61-64
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A Novel 0.79mum^2 SRAM Cell by KrF Lithography and High Performance 90nm CMOS Technology for Ultra High Speed SRAM
    Jung, S. M. ; Kwon, H. ; et al.
    In: INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, , S. 419-422
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    SALVO Process for Sub-50 nm Low-V~T Replacement Gate CMOS with KrF Lithography
    Chang, C. P. ; Vuong, H. H. ; et al.
    In: INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, , S. 53-56
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
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