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    Channel hot-electron and hot-hole improvement in Al and Cu multilevel metal CMOS using deuterated anneals and passivating films
    Clark, W.F. ; Cottrell, P.E. ; et al.
    In: International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest (Cat. No.99CH36318), 1999, S. 89-92
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A novel W/TiNx metal gate CMOS technology using nitrogen-concentration-controlled TiNx film
    Wakabayashi, H. ; Saito, Y. ; et al.
    In: International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest (Cat. No.99CH36318), 1999, S. 253-256
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Modular integration of high-performance SiGe:C HBTs in a deep submicron, epi-free CMOS process
    Ehwald, K.E. ; Knolll, D. ; et al.
    In: International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest (Cat. No.99CH36318), 1999, S. 561-564
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    50 nm gate-length CMOS transistor with super-halo: design, process, and reliability
    Yu, Bin ; Wang, Haihong ; et al.
    In: International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest (Cat. No.99CH36318), 1999, S. 653-656
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    An embedded 0.405 /spl mu/m/sup 2/ stacked DRAM technology integrated with high-performance 0.2 /spl mu/m CMOS logic and 6-level metalization
    Yoshida, M. ; Asaka, K. ; et al.
    In: International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest (Cat. No.99CH36318), 1999, S. 41-44
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Thermally robust dual-gate CMOS integration technologies for high-performance DRAM-embedded ASICs
    Togo, M. ; Mogami, T. ; et al.
    In: International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest (Cat. No.99CH36318), 1999, S. 49-52
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Soft error considerations for deep-submicron CMOS circuit applications
    Cohen, N. ; Sriram, T.S. ; et al.
    In: International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest (Cat. No.99CH36318), 1999, S. 315-318
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    100 nm gate length high performance/low power CMOS transistor structure
    Ghani, T. ; Ahmed, S. ; et al.
    In: International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest (Cat. No.99CH36318), 1999, S. 415-418
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Sub-60 nm physical gate length SOI CMOS
    Yang, I.Y. ; Chen, K. ; et al.
    In: International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest (Cat. No.99CH36318), 1999, S. 431-434
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    High performance 0.18 /spl mu/m SOI CMOS technology
    Leobandung, E. ; Barth, E. ; et al.
    In: International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest (Cat. No.99CH36318), 1999, S. 679-682
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A 0.13 /spl mu/m CMOS technology integrating high-speed and low-power/high-density devices with two different well/channel structures
    Imai, K. ; Yamaguchi, K. ; et al.
    In: International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest (Cat. No.99CH36318), 1999, S. 667-670
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    An 80 nm dual-gate CMOS with shallow extensions formed after activation annealing and SALICIDE
    Morifuji, E. ; Ohishi, A. ; et al.
    In: International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest (Cat. No.99CH36318), 1999, S. 649-652
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    CMOS device technology toward 50 nm region-performance and drain architecture
    Hori, A. ; Mizuno, B.
    In: International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest (Cat. No.99CH36318), 1999, S. 641-644
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Integration of high-Q inductors in a latch-up resistant CMOS technology
    Frei, M.R. ; Belk, N.R. ; et al.
    In: International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest (Cat. No.99CH36318), 1999, S. 757-760
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Analysis and control of hysteresis in PD/SOI CMOS
    Pelella, M.M. ; Fossum, J.G. ; et al.
    In: International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest (Cat. No.99CH36318), 1999, S. 831-834
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    RF potential of a 0.18-/spl mu/m CMOS logic technology
    Burghartz, J.N. ; Hargrove, M. ; et al.
    In: International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest (Cat. No.99CH36318), 1999, S. 853-856
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A high speed CMOS imager acquiring 5000 frames/sec
    Lauxtermann, S. ; Schwider, P. ; et al.
    In: International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest (Cat. No.99CH36318), 1999, S. 875-878
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Accurate thermal noise model for deep-submicron CMOS
    Scholten, A.J. ; Tromp, H.J. ; et al.
    In: International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest (Cat. No.99CH36318), 1999, S. 155-158
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    High performance transistors with state-of-the-art CMOS technologies
    Song, Seungheon ; Kim, W.S. ; et al.
    In: International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest (Cat. No.99CH36318), 1999, S. 427-430
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Predictive BSIM3v3 modeling for the 0.15-0.18 /spl mu/m CMOS technology node: a process DOE based approach
    Vasanth, K. ; Krick, J. ; et al.
    In: International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest (Cat. No.99CH36318), 1999, S. 353-356
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
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