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  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    LPE growth of InAsSbP for mid-infrared (2-4 μm) optoelectronic devices†
    Krier, Anthony ; M. K Parry
    In: International Journal of Electronics, Jg. 77 (1994-09-01), S. 317-323
    Online unknown
    Zugriff:
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    The electroluminescent properties of Zn-diffused SH GaAs light emitting diodes
    Konagai, M. ; Lastras-Martínez, A. ; et al.
    In: International Journal of Electronics, Jg. 40 (1976-03-01), S. 241-250
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Heterosurface GaAs light-emitting diodes
    Takahashi, Kiyoshi ; A. Lastras Martinez ; et al.
    In: International Journal of Electronics, Jg. 38 (1975-05-01), S. 641-643
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -