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    Perimeter Gated Single Photon Avalanche Diodes in Sub-Micron and Deep-Submicron CMOS Processes.
    Shawkat, Mst Shamim Ara ; Habib, Mohammad Habib Ullah ; et al.
    In: International Journal of High Speed Electronics & Systems, Jg. 27 (2018-09-01), Heft 3/4, S. N.PAG- (19S.)
    academicJournal
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    Power Dissipation and Cell Area: Quaternary Logic CMOS Inverter vs. Four-State SWS-FET Inverter.
    Husawi, A. ; Saman, B. ; et al.
    In: International Journal of High Speed Electronics & Systems, Jg. 31 (2022-03-01), Heft 1/4, S. 1-9
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Multi-State 2-Bit CMOS Logic Using n- and p- Quantum Well Channel Spatial Wavefunction Switched (SWS) FETs.
    Jain, Faquir ; Saman, Bander ; et al.
    In: International Journal of High Speed Electronics & Systems, Jg. 27 (2018-09-01), Heft 3/4, S. N.PAG- (12S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Design and Fabrication of Terahertz Detectors Based on 180-nm CMOS Process Technology.
    Wakita, Kosuke ; Sano, Eiichi ; et al.
    In: International Journal of High Speed Electronics & Systems, Jg. 25 (2016-09-01), Heft 3/4, S. -1- (9S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Evolutionary Computation Based Sizing Technique of Nulling Resistor Compensation Based CMOS Two-Stage Op-Amp Circuit.
    De, Bishnu Prasad ; Maji, Kanchan Baran ; et al.
    In: International Journal of High Speed Electronics & Systems, Jg. 26 (2017-12-01), Heft 4, S. -1- (16S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    LP-HS Logic Evaluation on TSMC 0.18μm CMOS Technology.
    Saha, Aloke ; Kumar, Sushil ; et al.
    In: International Journal of High Speed Electronics & Systems, Jg. 26 (2017-12-01), Heft 4, S. -1- (16S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Scaling Challenges for Advanced CMOS Devices.
    Jacob, Ajey P. ; Xie, Ruilong ; et al.
    In: International Journal of High Speed Electronics & Systems, Jg. 26 (2017-03-01), Heft 1/2, S. -1- (76S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Optimization of the Design of Terahertz Detectors Based on Si CMOS and AlGaN/GaN Field-Effect Transistors.
    Bauer, Maris ; Boppel, Sebastian ; et al.
    In: International Journal of High Speed Electronics & Systems, Jg. 25 (2016-09-01), Heft 3/4, S. -1- (10S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    MILLIMETER WAVE TO TERAHERTZ IN CMOS.
    O, K. K. ; SANKARAN, S. ; et al.
    In: International Journal of High Speed Electronics & Systems, Jg. 19 (2009-03-01), Heft 1, S. 55-67
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    CMOS DEVICES ARCHITECTURES AND TECHNOLOGY INNOVATIONS FOR THE NANOELECTRONICS ERA.
    DELEONIBUS, S. ; de SALVO, B. ; et al.
    In: International Journal of High Speed Electronics & Systems, Jg. 16 (2006-03-01), Heft 1, S. 193-219
    academicJournal
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    A TOTAL-DOSE HARDENING-BY-DESIGN APPROACH FOR HIGH-SPEED MIXED-SIGNAL CMOS INTEGRATED CIRCUITS.
    Nowlin, Nathan ; Bailey, John ; et al.
    In: International Journal of High Speed Electronics & Systems, Jg. 14 (2004-06-01), Heft 2, S. 367-378
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    ACHIEVING ANALOG ACCURACY IN NANOMETER CMOS.
    Flynn, Michael P. ; Park, Sunghyun ; et al.
    In: International Journal of High Speed Electronics & Systems, Jg. 15 (2005-06-01), Heft 2, S. 1-21
    academicJournal
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    ARE WE AT THE END OF CMOS SCALING?
    SHAHIDI, GHAVAM G.
    In: International Journal of High Speed Electronics & Systems, Jg. 16 (2006-03-01), Heft 1, S. 3-8
    academicJournal
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    HIGHLY SCALED CMOS DEVICE TECHNOLOGIES WITH NEW STRUCTURES AND NEW MATERIALS.
    WANG, YANGYUAN ; HUANG, RU ; et al.
    In: International Journal of High Speed Electronics & Systems, Jg. 16 (2006-03-01), Heft 1, S. 147-173
    academicJournal
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    PERFORMANCE LIMITATIONS OF Si CMOS AND ALTERNATIVES FOR NANOELECTRONICS.
    SARASWAT, KRISHNA C. ; CHUI, CHI ON ; et al.
    In: International Journal of High Speed Electronics & Systems, Jg. 16 (2006-03-01), Heft 1, S. 175-192
    academicJournal
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    A SIMULATION-BASED PREVIEW OF EXTREMELY SCALED DOUBLE-GATE CMOS DEVICES AND CIRCUITS.
    Fossum, Jerry G.
    In: International Journal of High Speed Electronics & Systems, Jg. 12 (2002-06-01), Heft 2, S. 563-572
    academicJournal
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    High-Speed and High-Data-Bandwidth Transmitter and Receiver for Multi-Channel Serial Data Communication with CMOS Technology.
    Fukaishi, Muneo ; Nakamura, Kazuyuki ; et al.
    In: International Journal of High Speed Electronics & Systems, Jg. 11 (2001-03-01), Heft 1, S. 1-33
    academicJournal
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    MONTE CARLO SIMULATIONS OF In<subscript>0.75</subscript>Ga<subscript>0.25</subscript>As MOSFETs AT 0.5 V SUPPLY VOLTAGE FOR HIGH-PERFORMANCE CMOS.
    AYUBI-MOAK, J. S. ; KALNA, K. ; et al.
    In: International Journal of High Speed Electronics & Systems, Jg. 19 (2009-03-01), Heft 1, S. 93-100
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    ANALYTICAL CHARACTERIZATION AND MODELING OF SHIELDED TEST STRUCTURES FOR RF-CMOS.
    TORRES-RIOS, EMMANUEL ; TORRES-TORRES, REYDEZEL ; et al.
    In: International Journal of High Speed Electronics & Systems, Jg. 18 (2008-12-01), Heft 4, S. 793-803
    academicJournal
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    IMPACT OF INTRINSIC PARAMETER FLUCTUATIONS IN NANO-CMOS DEVICES ON CIRCUITS AND SYSTEMS.
    Roy, Scott ; Cheng, Binjie ; et al.
    In: International Journal of High Speed Electronics & Systems, Jg. 17 (2007-09-01), Heft 3, S. 501-508
    academicJournal
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