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    Improvement of Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxial Growth of Group III Nitrides on Si Controlling Radio Frequency Discharge Modes and Irradiation of Nitrogen Flux
    Ohachi, Tadashi ; Yamabe, Nobuhiko ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 50 (2011-01-25), Heft 1, S. 1AE01- (8S.)
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Investigation of Tungsten Nitride Deposition Using Tungsten Hexafluoride Precursor for Via and Plug Metallization
    Hwang, Yeong-Hyeon ; Cho, Won-Ju ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 52 (2013-10-25), Heft 10, S. 10MC07
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    The Role of Growth Rates and Buffer Layer Structures for Quality Improvement of Cubic GaN Grown on GaAs
    Ogawa, Masahiro ; Funato, Mitsuru ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 39 (2000-02-01), Heft 2, S. L69
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Characterization of Double-Buffer Layers and Its Application for the Metalorganic Vapor Phase Epitaxial Growth of GaN
    Uchida, Kenji ; Nishida, Ken ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 37 (1998-07-01), Heft 7, S. 3882-3882
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    On the Core Behavior of Dislocations in the Covalent Semiconductors C, Si and Ge
    Masuda, Kin-ichi ; Kojima, Kenichi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 22 (1983-08-01), Heft 8, S. 1240-1240
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
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