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    A comparative study on electrical characteristics of 1-kV pnp and npn SiC bipolar junction transistors
    Okuda, Takafumi ; Kimoto, Tsunenobu ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-11-01), Heft 11, Supplement 11, S. 04FR04
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Lasing characteristics of 1.3-µm npn-AlGaInAs transistor-laser with narrower-bandgap p-GaInAsP base layer on semi-insulating InP substrate
    Yoshitomi, Shoichi ; Tadano, Shotaro ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-11-01), Heft 11, Supplement 11, S. 012102-12102
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Comparison of magnetoresistances of triangular and rectangular ballistic graphene npn junctions
    Morikawa, Sei ; Masubuchi, Satroru ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 55 (2016-10-01), Heft 10, S. 100305-100305
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Electron-Acoustic Microscopic Study on Dislocation Lines in the Base Region of npn Si-Tr
    Takenoshita, Hiroshi
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 25 (1986), Heft 1, S. 194-194
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Experimentally Proven Equation for the Collector-Depletion-Layer Transit Time of npn Bipolar Transistors
    Mochizuki, Kazuhiro ; Takashi Uchino, Takashi Uchino ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 36 (1997-11-01), Heft 11, S. 6724-6724
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    An Advantage of Pnp over Npn AlGaAs/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors for Microwave Power Applications
    William Liu, William Liu ; Changhong Dai, Changhong Dai
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 31 (1992-04-01), Heft 4, S. L452
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Nondestructive Internal Observation and Distribution of Potential with Bias Application of npn Si Darlington Transistor Chip Using Electron-Acoustic Microscopy
    Tabuchi, Hiroshi Takenoshita
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 32 (1993-05-01), Heft 5, S. 2521-2521
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    An Npn AlGaAs/GaAs Collector-up HBT with an H+-Implanted High Resistivity Layer under the External p+-GaAs Base
    Yanagihara, Manabu ; Ota, Yorito ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 29 (1990-12-01), Heft 12, S. L2174
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Site of Electron Acoustic Signal Generation from Junction of an npn Si Transistor-Chip under Bias Application
    Takenoshita, Hiroshi ; Kobayashi, Mutsuo
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 29 (1990), Heft 1, S. 16-16
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    High Gain Npn AlGaAs/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors Prepared by Molecular Beam Epitaxy
    Wu, Chung-Chang ; Si-Chen Lee, Si-Chen Lee ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 31 (1992-04-01), Heft 4, S. L385
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    An Investigation of the Inconsistency in Barrier Heights for PNP and NPN Polysilicon Emitter Bipolar Transistors Using a New Tunneling Model
    Post, Ian R. C. ; Nouailhat, Peter Ashburn
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 33 (1994-03-01), Heft 3, S. 1275-1275
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    (Invited) A SIPOS-Si Heterojunction Transistor
    Matsushita, Takeshi ; Hayashi, Hisao ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 20 (1981), Heft 1, S. 75-75
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    (Invited) Heterojunction Bipolar Transistors
    Harris, J. S., Jr. ; Asbeck, P. M. ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 22 (1983), Heft 1, S. 375-375
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Impact of Collection Efficiency on the Optical Responsivity of Lattice Matched InP/InGaAs Heterojunction Phototransistors
    Khan, Hassan A. ; Rezazadeh, Ali A. ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 51 (2012-07-25), Heft 7, S. 72202-72203
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Static and Dynamic Characteristics of a 54 GHz fmaxImplanted Base 0.35 µm Single-Polysilicon Bipolar Technology
    Vincent, Gilbert ; Niel, Stephan ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 38 (1999-11-01), Heft 11, S. 6258-6258
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Boron Vapour Phase Doping of Silicon for Bipolar Device Applications
    Theunissen, M. J. J. ; Timmering, C. E. ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 38 (1999-10-01), Heft 10, S. 5805-5805
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    High Speed Bipolar ICs Using Super Self-Aligned Process Technology
    Sakai, Tetsushi ; Kobayashi, Yoshiji ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 20 (1981), Heft 1, S. 155-155
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Observation of Oxidation-Induced Stacking Faults by Electron-Acoustic Microscopy
    Hiroshi Takenoshita, Hiroshi Takenoshita
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 34 (1995-05-01), Heft 5, S. 2883-2883
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Improvement of the Safe Operating Area for P-Channel Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs)
    Ueno, Katsunori ; Hoshi, Yasuyuki ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 30 (1991-06-01), Heft 6, S. L966
    serialPeriodical
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Depth Directional Study by Electron-Acoustic Microscopy
    Sawai, Katsunori ; Takenoshita, Hiroshi
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 26 (1987), Heft 1, S. 239-239
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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