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    A New Drain Engineering Structure-SCD-LDD (Surface Counter Doped LDD) for Improved Hot Carrier Reliability
    Hsue, Peter ; Chun Yun Chang ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 32 (1993-09-01), S. L1203
    Online unknown
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    A Novel Thin Gate-Oxide-Thickness Measurement Method by LDD (Lightly-Doped-Drain)- NMOS (N-Channel Metal-Oxide-Semiconductor) Transistors
    Hwang, Huey-Liang ; Lee, Jian-Hsing ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 37 (1998), S. L1
    Online unknown
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    A Novel LDD-Structured Poly-Si Thin Film Transistors with High ON/OFF Ratio
    Han, Min-Koo ; Choi, Kwon-Young ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 36 (1997-03-01), S. 1522-1522
    Online unknown
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    Fabrication and characterization of T-gate polysilicon thin-film transistors with lightly-doped drain
    Lee, Cheng-Kuei ; Chen, K.-M. ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 62 (2022-12-23), S. SC1009
    Online unknown
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    Reliability of Low-Temperature Poly-Si Thin Film Transistors with Lightly Doped Drain Structures
    Furuta, Mamoru ; Uraoka, Yukiharu ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 42 (2003-07-15), S. 4257-4260
    Online unknown
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    Analysis of Hot Carrier Effect in Low-Temperature Poly-Si Gate-Overlapped Lightly Doped Drain Thin Film Transistors
    Kawakita, Tetsuo ; Uraoka, Yukiharu ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 42 (2003-06-15), S. 3354-3360
    Online unknown
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    Hot Carrier Degradation in Deep Sub-Micron Nitride Spacer Lightly Doped Drain N-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Transistors
    Tsai, Jun-lin ; Huang, Kai-ye ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 41 (2002-08-15), S. 5078-5082
    Online unknown
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    Novel source follower transistor structure without lightly doped drain for high performance CMOS image sensor
    Lee, Ga-Won ; Kwon, Sung-Kyu ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 55 (2016-06-06), S. 08PD02
    Online unknown
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    Effect of Dopant Concentration in Lightly Doped Drain Region on the Electrical Properties of N-Type Metal Induced Lateral Crystallization Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors
    Ashkan Vakilipour Takaloo ; Jae Hyo Park ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 52 (2013-10-01), S. 10MC13
    Online unknown
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    Mechanism Analysis of Current–Voltage Characteristic in a Lightly Doped Drain Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistor Using Activation Energy
    Nakashima, Akihiro ; Kimura, Mutsumi
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 51 (2012-03-01), S. 03CA05
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    Improved Radio Frequency Power Characteristics of Complementary Metal–Oxide–Semiconductor-Compatible Asymmetric-Lightly-Doped-Drain Metal–Oxide–Semiconductor Transistor
    Chin, Albert ; Chen, You-Da ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 49 (2010-03-01), S. 034201-34201
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Irradiation-Damages in Atmospheric Plasma Used in a Resist Ashing Process for Thin Film Transistors
    Sato, Taiki ; Ueno, Akira ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 48 (2009-03-23), S. 03B009
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    Positive Shift of Threshold Voltage in Short-Channel (L= 1.5 µm) p-Type Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistor under Off-State Bias Stress
    Shin, Hee-Sun ; Han, Min-Koo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 48 (2009-03-23), S. 03B011
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    Hot-Carrier Degradation in Low-Temperature Polycrystalline Silicon n-Channel Lightly Doped Drain Thin-Film Transistors
    Yamagata, Masahiro ; Hirata, Seishiro ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 48 (2009-01-20), S. 011207-11207
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    Fabrication of HfC-Coated Si Field Emitter Arrays with Built-in Poly-Si Thin-Film Transistor
    Kanemaru, Seigo ; Nagao, Masayoshi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 44 (2005-07-01), S. 5740-5740
    Online unknown
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    Device Design Consideration for 50 nm Dynamic Random Access Memory Using Bulk FinFET
    Han, Kyoung-Rok ; Yoon, Euijoon ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 44 (2005-04-01), S. 2176-2176
    Online unknown
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    Novel Method of Intrinsic Characteristic Extraction in Lightly Doped Drain Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors for Accurate Device Modeling
    Maeda, Kazuhiro ; Taniguchi, Kenji ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 43 (2004-03-01), S. 918-918
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    Quantitative Investigation of Hot Carrier Induced Drain Current Degradation in Submicron Drain-Engineered Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistors
    Yang, J.-J. ; Steve Shao-Shiun Chung
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 40 (2001-09-01), S. 5285-5285
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    Characterization and Reliability of Lightly-Doped-Drain Polysilicon Thin-Film Transistors with Oxide Sidewall Spacer Formed by One-Step Selective Liquid Phase Deposition
    Chang, Chun-Yen ; Tiao Yuan Huang ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 39 (2000-10-01), S. 5758-5758
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    Impact of Nitrogen Implantation in Lightly Doped Drain (NIL) on Deep Sub-Micron CMOS Devices
    Hong, Sung-Kwon ; Hwang, Jeong-Mo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 39 (2000-04-01), S. 2141-2141
    Online unknown
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