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    A highly symmetrical 10 transistor 2-read/write dual-port static random access memory bitcell design in 28 nm high-k/metal-gate planar bulk CMOS technology
    Ching Cheng Lung ; Cheng, Osbert ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-03-22), S. 04FB10
    Online unknown
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    Soft/write-error-resilient CMOS/magnetic tunnel junction nonvolatile flip-flop based on majority-decision shared writing
    Hanyu, Takahiro ; Onizawa, Naoya
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 56 (2017-03-21), S. 04CF12
    Online unknown
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    Advocating Noise as an Agent for Ultra-Low Energy Computing: Probabilistic Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Devices and Their Characteristics
    Akgul, Bilge E. S. ; Palem, Krishna V. ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 45 (2006-04-25), S. 3307-3316
    Online unknown
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    Compact Bell-Shaped Analog Matching-Cell Module for Digital-Memory-Based Associative Processors
    Shibata, Tadashi ; Trong Tu Bui
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 47 (2008-04-25), S. 2788-2796
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    A Novel Vision Chip for High-Speed Target Tracking
    Wu, Nanjian ; Lin, Qingyu ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 46 (2007-04-24), S. 2220-2225
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    Nonvolatile field-programmable gate array using 2-transistor–1-MTJ-cell-based multi-context array for power and area efficient dynamically reconfigurable logic
    Hanyu, Takahiro ; Suzuki, Daisuke
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 54 (2015-03-04), S. 04DE01
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    A Programmable Difference-of-Gaussian Analog Complementary Metal Oxide Semiconductor Image Sensor Operating in the Subthreshold Regime
    Wang, Zheye ; Shibata, Tadashi
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 52 (2013-04-01), S. 04CE13
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    High-Voltage-Tolerant Level Converter for Embedded Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Nonvolatile Memories
    Chih Yang Huang ; Lin, Hongchin
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 51 (2012-02-01), S. 02BE08
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    Design of a Nine-Transistor/Two-Magnetic-Tunnel-Junction-Cell-Based Low-Energy Nonvolatile Ternary Content-Addressable Memory
    Ohno, Hideo ; Endoh, Tetsuo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 51 (2012-02-01), S. 02BM06
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    New Performance Indicators of Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors for High-Frequency Power-Conscious Design
    Katayama, Kosuke ; Fujishima, Minoru
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 51 (2012-02-01), S. 02BC02
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    Merged DRAM with Logic/Analog (MDLA) Technology for Single-Chip Solution
    Won Chul Kim ; Choi, Chang-Sik ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 38 (1999-04-01), S. 2183-2183
    Online unknown
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