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    Small-Signal and Noise Model of Fully Depleted Silicon-on-Insulator Metal–Oxide–Semiconductor Devices for Low-Noise Amplifier
    Taniguchi, Kenji ; Murakami, Bunsei ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 45 (2006-09-07), S. 6872-6877
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    Extremely Low Noise Characteristics of 0.15 µm Power Metamorphic High-Electron-Mobility Transistors
    Jae Yeob Shim ; Dong Min Kang ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 45 (2006-04-25), S. 3380-3383
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    A sub-0.5 V operating RF low noise amplifier using tunneling-FET
    Jhon, Hee-Sauk ; Woo Young Choi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 56 (2017-01-06), S. 020303-20303
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    An Inverter-Based Wideband Low-Noise Amplifier in 40 nm Complementary Metal Oxide Semiconductor
    DAYANG, NUR SALMI D ; Salmi Dharmiza, Dayang Nur ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 51 (2012-04-01), Heft 4
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    Electro-Static Discharge Protection Design for V-Band Low-Noise Amplifier Using Radio Frequency Junction Varactor
    Tsai, Ming-Hsien ; Hsu, Shawn S. H. ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 52 (2013-03-21), S. 04CE09
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    A 5.4–9.2 GHz 19.5 dB Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Ultrawide-Band Receiver Front-End Low-Noise Amplifier
    Azhari, Afreen ; Sasaki, Nobuo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 50 (2011-04-01), S. 04DE01
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    Device and Circuit Codesign Strategy for Application to Low-Noise Amplifier Based on Silicon Nanowire Metal–Oxide–Semiconductor Field Effect Transistors
    Se Hwan Park ; Shin, Hyungcheol ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 49 (2010-04-01), S. 04DN03
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    A 3.5–4.5 GHz Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Ultrawideband Receiver Frontend Low-Noise Amplifier with On-Chip Integrated Antenna for Interchip Communication
    Kimoto, K. ; Sasaki, Nobuo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 49 (2010-04-01), S. 04DE11
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    High-Frequency Thin-Film Transistor Circuits for System Displays
    Kitagishi, Yoichi ; Okada, Takashi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 48 (2009-03-23), S. 03B013
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    Comparative Study of DC and Microwave Characteristics of 0.12 µm Double-Recessed Gate AlGaAs/InGaAs/GaAs Pseudomorphic High-Electron-Mobility Transistors Using Dielectric-Assisted Process
    Chang, Woo-Jin ; Ho Kyun Ahn ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 45 (2006-04-25), S. 3358-3363
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    A Broadband and Low Cost Monolithic BiCMOS Tuner Chip
    Cheng, Ting-Yuan ; Chen, Yung-Hui ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 43 (2004-11-10), S. 7439-7443
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    Temperature-Dependence of theQ-Factor and Noise Figure Performances of a Spiral Inductor with an Advanced Mixed-Signal/RF Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Technology
    Lin, Yo-Sheng
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 43 (2004-10-08), S. 6907-6911
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    InAs-Channel High-Electron-Mobility Transistors for Ultralow-Power Low Noise Amplifier Applications
    Hsu, Heng-Tung ; Miyamoto, Yasuyuki ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 48 (2009-04-20), S. 04C094
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    An Analysis of Size Effect on the Performances of Low-Leakage 0.10 µm Complementary Metal Oxide Semiconductor for 5-GHz Band Low-Power RF-ICs and Static Random Access Memory Applications
    Lin, Yo-Sheng
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 43 (2004-08-01), S. 5178-5178
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    Femtosecond Self-Mode-Locked La1-xMgNdxAl11O19 Laser Pumped by a Laser Diode
    Xie, Wenjie ; Lam, Y.L. ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 39 (2000-12-01), S. 6542-6542
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