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    CMOS integration of high-k/metal gate transistors in diffusion and gate replacement (D&GR) scheme for dynamic random access memory peripheral circuits
    Ercken, M. ; Thiam, A. ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-03-16), S. 04FB08
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    Design trade-off between spatial resolution and power consumption in CMOS biosensor circuit based on millimeter-wave LC oscillator array
    Nakazato, Kazuo ; Niitsu, Kiichi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-01-25), S. 03EC02
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    DC–17-GHz CMOS single-pole-eight-throw switching matrix for radar-based image detection
    Azhari, Afreen ; Kikkawa, Takamaro ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 55 (2016-11-17), S. 127301-127301
    Online unknown
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    Design and experimental demonstration of low-power CMOS magnetic cell manipulation platform using charge recycling technique
    Niitsu, Kiichi ; Nakazato, Kazuo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 55 (2016-02-23), S. 03DF13
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    CMOS image sensor with lateral electric field modulation pixels for fluorescence lifetime imaging with sub-nanosecond time response
    Li, Zhuo ; Kawahito, Shoji ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 55 (2016-03-17), S. 04EM06
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    A fully on-chip three-terminal switched-capacitor DC–DC converter for low-voltage CMOS LSIs
    Numa, Masahiro ; Tsubaki, Keishi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 55 (2016-03-16), S. 04EF09
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    Analysis of back-gate effect on threshold voltage of p-channel GaN MOSFETs on polarization-junction substrates
    Tsutsui, Kazuo ; Wakabayashi, Hitoshi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 58 (2019-06-01), Heft No. 6, S. 061006-61006
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    Twin-bit via resistive random access memory in 16 nm FinFET logic technologies
    Chrong Jung Lin ; Shih, Yi-Hong ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-03-22), S. 04FE15
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    Impact of Geometrical and Electrical Parameters on Speed Performance Characteristics in Ultimate Double-Gate Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors
    Loussier, X. ; Tintori, Olivier ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 47 (2008-05-16), S. 3390-3395
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    A high density FinFET one-time programmable cell with new intra-fin cell isolation for advanced system on chip applications
    Chrong Jung Lin ; Ping Chun Peng ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 55 (2016-03-10), S. 04EE06
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    Improvements of low-detection-limit filter-free fluorescence sensor developed by charge accumulation operation
    Moriwaki, Yu ; Tanaka, Kiyotsugu ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 56 (2017-03-27), S. 04CM09
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Investigation of parasitic resistance and capacitance effects in nanoscaled FinFETs and their impact on static random-access memory cells
    Chrong Jung Lin ; King, Ya-Chin ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 56 (2017-03-13), S. 04CD11
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    Design and analysis of nanowire p-type MOSFET coaxially having silicon core and germanium peripheral channel
    Cho, Seongjae ; Yu, Eunseon
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 55 (2016-10-07), S. 114001-114001
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    Impact of doping concentration on 1/f noise performances of accumulation-mode Si(100) n-MOSFETs
    Teramoto, Akinobu ; Sugawa, Shigetoshi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 55 (2016-03-08), S. 04ED08
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Impact of (Quasi-)Ballistic Transport on Operation of Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Inverters Based on Fully-Depleted Silicon-on-Insulator and Nanowire Devices
    Jaud, Marie-Anne ; Munteanu, Daniela ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 50 (2011), S. 014103-14103
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    Design and measurement of fully digital ternary content addressable memory using ratioless static random access memory cells and hierarchical-AND matching comparator
    Nakamura, Kazuyuki ; Mohammad Alimudin Bin Mohd Ali ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-03-19), Heft 4S, S. 04FF11
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    Differential multiple-time-programmable memory cells by laterally coupled floating metal gate fin field-effect transistors
    Hsu, Chia-Ling ; Chrong Jung Lin ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 56 (2017-02-24), S. 04CE03
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xs 0 - 576
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