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    Measurement of electromagnetic field immunity of voltage-controlled oscillator-based analog-to-digital converters in 28 nm CMOS technology
    Sonoda, Hiroki ; Miki, Takuji ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 61 (2022-05-01), S. SC1045
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    Experimental demonstration of high-gain CMOS inverter operation at low V dd down to 0.5 V consisting of WSe2 n/p FETs
    Muneta, Iriya ; Kawanago, Takamasa ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 61 (2022-02-07), S. SC1004
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    CMOS-embedded high-power handling RF-MEMS tunable capacitor using quadruple series capacitor and slit with dielectric bridges structure
    Saito, Tomohiro ; Ikehashi, Tamio ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-09-20), S. 1002B6
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    CMOS integration of high-k/metal gate transistors in diffusion and gate replacement (D&GR) scheme for dynamic random access memory peripheral circuits
    Ercken, M. ; Thiam, A. ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-03-16), S. 04FB08
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    Design trade-off between spatial resolution and power consumption in CMOS biosensor circuit based on millimeter-wave LC oscillator array
    Nakazato, Kazuo ; Niitsu, Kiichi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-01-25), S. 03EC02
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    Theoretical analysis and simulation study of low-power CMOS electrochemical impedance spectroscopy biosensor in 55 nm deeply depleted channel technology for cell-state monitoring
    Niitsu, Kiichi ; Nakazato, Kazuo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2017-11-09), S. 01AG02
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    An 8 channel, 20 V output CMOS switching driver with 3.3 V power supply using triple-well biasing techniques for integrated MEMS device control
    Mi, Xiaoyu ; Nakazawa, Fumihiko ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 53 (2014-03-01), Heft no. 4S
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    DC–17-GHz CMOS single-pole-eight-throw switching matrix for radar-based image detection
    Azhari, Afreen ; Kikkawa, Takamaro ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 55 (2016-11-17), S. 127301-127301
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    Design and experimental demonstration of low-power CMOS magnetic cell manipulation platform using charge recycling technique
    Niitsu, Kiichi ; Nakazato, Kazuo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 55 (2016-02-23), S. 03DF13
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    Active Electrostatic Discharge (ESD) Device for On-Chip ESD Protection in Sub-Quarter-Micron Complementary Metal-Oxide Semiconductor (CMOS) Process
    Tang Kui Tseng ; Ker, Ming-Dou
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 43 (2003-12-19), S. L33- (3S.)
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    Compact 0.3-to-1.125 GHz self-biased phase-locked loop for system-on-chip clock generation in 0.18 µm CMOS
    Feng, Peng ; Liu, Jian ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 55 (2016-03-07), S. 04EF05
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    III–V/Ge channel MOS device technologies in nano CMOS era
    Kim, Sanghyeon ; Nishi, Koichi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 54 (2015-05-07), S. 06FA01
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    A capacitive CMOS–MEMS sensor designed by multi-physics simulation for integrated CMOS–MEMS technology
    Yamane, Daisuke ; Masu, Kazuya ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 53 (2014-03-25), S. 04EE15
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    An arrayed accelerometer device of a wide range of detection for integrated CMOS–MEMS technology
    Yamane, Daisuke ; Masu, Kazuya ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 53 (2014-01-21), S. 027202-27202
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    Emulation of high-frequency substrate noise generation in CMOS digital circuits
    Makita, Tetsuya ; Shimazaki, S. ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 53 (2014-03-06), S. 04EE06
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Low-cost and scalable embedded nonvolatile memory using quasi-planar bulk transistor with standard CMOS gate stacks
    Tanaka, Chika ; Saitoh, Masumi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 53 (2014-02-18), S. 04EC13
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Postfabrication Independent Inductance and Quality Factor Adjustments of On-Chip Inductors by Above-CMOS Processing for Rapid Prototyping of Radio Frequency System on Chips
    Kotani, Koji ; Sasaki, Y.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 51 (2012-04-01), S. 04DE06
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    A New Well Capacity Adjusting Scheme for High Sensitivity, Extended Dynamic Range CMOS Imaging Pixel Sensors
    Lai, Cheng-Hsiao ; Yu, Yueh-Ping ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 44 (2005-04-01), S. 2214-2214
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    Low-Voltage-Signaling CMOS Receiver with Dynamic Threshold Control
    Asano, Tanemasa ; Arima, Yutaka ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 44 (2005-04-01), S. 2088-2088
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    Complementary Self-Biased Logics Based on Single-Electron Transistor (SET)/CMOS Hybrid Process
    Park, Joo-On ; Park, Byung-Gook ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 44 (2005-04-01), S. 2618-2618
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