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    Development of a CMOS-compatible contact technology for III–V materials and Si photonics
    Nemouchi, Fabrice ; Rodriguez, Philippe ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 59 (2020-03-30), S. SL0801
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    Adhesive wafer bonding for CMOS based lab-on-a-chip devices
    Thon, Jan-Erik ; Schikowski, Marc ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 59 (2020-01-03), S. SBBD04
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    CMOS-embedded high-power handling RF-MEMS tunable capacitor using quadruple series capacitor and slit with dielectric bridges structure
    Saito, Tomohiro ; Ikehashi, Tamio ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-09-20), S. 1002B6
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    Investigation of silicon-on-insulator CMOS integrated thermocouple and heater for antenna-coupled bolometer
    Satoh, Hiroaki ; Hiromoto, Norihisa ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 58 (2019-05-22), S. SDDE08
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    Loss analysis and optimum design of a highly efficient and compact CMOS DC–DC converter with novel transistor layout using 60 nm multipillar-type vertical body channel MOSFET
    Endoh, Tetsuo ; Itoh, Kazuki
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-03-16), S. 04FR12
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    CMOS integration of high-k/metal gate transistors in diffusion and gate replacement (D&GR) scheme for dynamic random access memory peripheral circuits
    Ercken, M. ; Thiam, A. ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-03-16), S. 04FB08
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    Design trade-off between spatial resolution and power consumption in CMOS biosensor circuit based on millimeter-wave LC oscillator array
    Nakazato, Kazuo ; Niitsu, Kiichi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-01-25), S. 03EC02
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    Performance of four-terminal low-temperature polycrystalline-silicon thin-film transistors and their application in CMOS inverters on glass substrates
    Hara, Akito ; Utsumi, Hiroki ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-01-24), S. 03DB01
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    A 40 GHz fully integrated circuit with a vector network analyzer and a coplanar-line-based detection area for circulating tumor cell analysis using 65 nm CMOS technology
    Matsunaga, Maya ; Nakazato, Kazuo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-01-10), S. 03EC01
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    Theoretical analysis and simulation study of low-power CMOS electrochemical impedance spectroscopy biosensor in 55 nm deeply depleted channel technology for cell-state monitoring
    Niitsu, Kiichi ; Nakazato, Kazuo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2017-11-09), S. 01AG02
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    Effect of drain current on appearance probability and amplitude of random telegraph noise in low-noise CMOS image sensors
    Park, Hyeonwoo ; Suwa, Tomoyuki ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-03-14), S. 04FF08
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A New Sampling Scheme for High-Sensitivity, Extended-Dynamic-Range Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) Imaging Pixel Sensors
    Li, Sing-Rong ; King, Ya-Chin ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 42 (2003-04-30), S. 2159-2162
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    A highly symmetrical 10 transistor 2-read/write dual-port static random access memory bitcell design in 28 nm high-k/metal-gate planar bulk CMOS technology
    Ching Cheng Lung ; Cheng, Osbert ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-03-22), S. 04FB10
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    CMOS Application of Single-Grain Thin Film Transistor Produced Using Metal Imprint Technology
    Yoshii, Masahito ; Asano, Tanemasa ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 42 (2003-04-30), S. 1983-1987
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    An Electrostatic-Discharge (ESD) Protection Device with Low Parasitic Capacitance Utilizing a Depletion-Layer-Extended Transistor (DET) for RF CMOS ICs
    Oomori, Tatsuo ; Furukawa, Akihiko ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 42 (2003-04-30), S. 2077-2081
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Reliability Test Guidelines for a 0.18 µm Generation Multi-Oxide CMOS Technology for System-on-Chip Applications
    Chen, Shang-Jr ; Lin, Jung-Chun ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 42 (2003-04-30), S. 1928-1932
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    Low-leakage 0.11 µm CMOS for Low-Power RF-ICs and SRAMs Applications
    Lin, Yo-Sheng
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 42 (2003-04-30), S. 2114-2118
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    Investigation of Output Mechanical Power Limits on High-Torque Electrostatic Actuators Using High-Frequency Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) Camera Combined with Image Processing Software
    Joseph, Eric ; Minotti, Patrice ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 41 (2002-06-15), S. L678- (4S.)
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    Implantable optogenetic device with CMOS IC technology for simultaneous optical measurement and stimulation
    Motoyama, Mayumi ; Ohta, Jun ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 56 (2017-03-31), S. 057001-57001
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    Soft/write-error-resilient CMOS/magnetic tunnel junction nonvolatile flip-flop based on majority-decision shared writing
    Hanyu, Takahiro ; Onizawa, Naoya
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 56 (2017-03-21), S. 04CF12
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