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    Loss analysis and optimum design of a highly efficient and compact CMOS DC–DC converter with novel transistor layout using 60 nm multipillar-type vertical body channel MOSFET
    Endoh, Tetsuo ; Itoh, Kazuki
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-03-16), S. 04FR12
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    CMOS Application of Schottky Source/Drain SOI MOSFET with Shallow Doped Extension
    Nishisaka, Mika ; Matsumoto, Sumie ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 43 (2004-04-01), S. 2170-2170
    Online unknown
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    CMOS Image Sensor Using SOI-MOS/Photodiode Composite Photodetector Device
    Asano, Tanemasa ; Uryo, Yuko
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 41 (2002-07-15), S. 4780-4780
    Online unknown
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    Deep Submicron CMOS Technology Using Top-Edge Round STI and Dual Gate Oxide for Low Power 256 M-Bit Mobile DRAM
    Hyeong Joon Kim ; Jo, Namhyuk ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 42 (2003-04-30), S. 1892-1896
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    Impact of SiN on Performance in Novel Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Architecture Using Substrate Strained-SiGe and Mechanical Strained-Si Technology
    Chung Yi Wu ; San Lein Wu ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 46 (2007-05-08), S. 2882-2886
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    Impact of Geometrical and Electrical Parameters on Speed Performance Characteristics in Ultimate Double-Gate Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors
    Loussier, X. ; Tintori, Olivier ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 47 (2008-05-16), S. 3390-3395
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    Analysis of Drivability Enhancement Factors in Nanograting Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors
    Mishima, Yasuyoshi ; Fukuda, Masatoshi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 47 (2008-04-25), S. 3081-3085
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    Effect of Oxide Breakdown on Complementary Metal Oxide Semiconductor Circuit Operation and Reliability
    Kamakura, Yoshinari ; Taniguchi, Kenji ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 43 (2004-11-15), S. 7866-7870
    Online unknown
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    The Characteristic Improvement of Si (111) Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor by Long-Time Hydrogen Annealing
    Takao, Hidekuni ; Kato, Yoshiko ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 43 (2004-10-08), S. 6848-6853
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    Impact of Thermal Stability on the Characteristics of Complementary Metal Oxide Semiconductor Transistors with TiN Metal Gate
    Ya Chen Kao ; Meng Fan Wang ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 41 (2002-02-15), S. 546-551
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    Design and analysis of nanowire p-type MOSFET coaxially having silicon core and germanium peripheral channel
    Cho, Seongjae ; Yu, Eunseon
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 55 (2016-10-07), S. 114001-114001
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    Uniformly Distributed Wideband Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor Model for Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Radio-Frequency Integrated Cirsuits Applications
    Lin, Yo-Sheng ; Tsou, Yi-Hsun ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 47 (2008-02-15), S. 807-813
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    A Wide-Dynamic-Range Photodiode-Type Active Pixel Sensor Cell with Seamlessly Combined Logarithmic–Linear–Logarithmic Response
    Terauchi, Mamoru ; Hamasaki, Atsushi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 46 (2007-07-04), S. 4050-4053
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    Investigation of Local Bending Stress Effect on Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Characteristics in Thinned Si Chip for Chip-to-Wafer Three-Dimensional Integration
    Lee, Kang-Wook ; Ji Choel Bea ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 52 (2013-04-01), S. 04CB11
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    Impact of Substrate Bias on Fixed-Pattern-Noise in Active Pixel Sensor Cells
    Terauchi, Mamoru
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 46 (2007-11-06), S. 7303-7305
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    Nanosized-Metal-Grain-Induced Characteristic Fluctuation in 16 nm Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Devices and Digital Circuits
    Cheng, Hui-Wen ; Li, Yiming
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 50 (2011-04-01), S. 04DC22
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    Differential-Mode Biosensor Using Dual Extended-Gate Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors
    Ahn, Jungil ; Choi, Jinhyeon ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 51 (2012-06-01), S. 06FG05
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    Impact of (Quasi-)Ballistic Transport on Operation of Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Inverters Based on Fully-Depleted Silicon-on-Insulator and Nanowire Devices
    Jaud, Marie-Anne ; Munteanu, Daniela ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 50 (2011), S. 014103-14103
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    New SOI Complementary-Bipolar Complementary-MOS (CBiCMOS) with Merged Device Structure
    Asano, Tanemasa ; Yue Sheng Zheng
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 39 (2000-04-01), S. 2241-2241
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    Complementary Metal–Oxide–Silicon Field-Effect-Transistors Featuring Atomically Flat Gate Insulator Film/Silicon Interface
    Sugawa, Shigetoshi ; Li, Xiang ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 48 (2009-04-20), S. 04C048
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