Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
65 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Verlag

Sprache

65 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Donor gettering of LPE (liquid-phase-epitaxy)InGaAsP layers in the presence of Er
    MENG-CHYI, WU ; EN-HSING, CHEN ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 30 (1991), Heft 11A, S. 2679-2682
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    LPE lateral overgrowth of GaP
    ZHANG, S ; NISHINAGA, T
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 29 (1990), Heft 3, S. 545-550
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Novel Liquid Phase Epitaxy (LPE) Growth Method for Growing Large GaN Single Crystals: Introduction of the Flux Film Coated-Liquid Phase Epitaxy (FFC-LPE) Method
    Mori, Yusuke ; Omae, Kunimichi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 42 (2003-08-01), S. L879- (3S.)
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Photoluminescence of InGaP/GaAs (111) LPE layers with elastic strain due to lattice mismatch
    KATO, T ; MATSUMOTO, T ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 6, S. 893-896
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Narrow photoluminescence spectra in InGaAsP/GaAs (001) LPE layers grown in the immiscible region
    KATO, T ; MATSUMOTO, T ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 7, S. L1085- (4S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    LPE growth of In1-xGaxAs1-yPy on GaAs0.7P0.3
    FUJII, S ; SAKAI, S ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 25 (1986), Heft 1, S. 75-78
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    LPE growth and surface morphology of InxGa1-xAsyP1-y(y≤0.01) on (100)GaAs
    HIRAMATSU, K ; TOMITA, K ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 23 (1984), Heft 1, S. 68-73
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Optical Property of GaN Single Crystals Grown by Liquid Phase Epitaxy (LPE)
    Omae, Kunimichi ; Yoshimura, Masashi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 43 (2004-01-09), S. L173- (3S.)
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Meltback of GaAs0.6P0.4 substrate in LPE growth of InGaAsP
    FUJII, S ; FURUTA, S ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 25 (1986), Heft 1, S. 79-81
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Influence of phosphorus evaporation from melt on InGaP/GaAs LPE growth
    KATO, T ; MATSUMOTO, T ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 23 (1984), Heft 9, S. L723- (3S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Auto-doping phenomena for the InGaAsP active layer in DH structure grown by LPE
    SASAI, Y ; YOSHIOKA, Y ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 23 (1984), Heft 9, S. L700- (3S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    LPE Lateral Overgrowth of GaP
    Nishinaga, Tatau ; Zhang, Suian
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 29 (1990-03-01), S. 545-545
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Donor Gettering of LPE (Liquid-Phase-Epitaxy) InGaAsP Layers in the Presence of Er
    Chen, En-Hsing ; Chin, Tsung-Shune ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 30 (1991-11-01), S. 2679-2679
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Lattice-Matched LPE Growth of In1-xGaxP1-yAsyLayers on (100) GaAs Substrates
    Matsunami, Hiroyuki ; Matsumura, Shigeo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 19 (1980-04-01), S. L207- (4S.)
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Luminescent Properties Variation toward Growth Direction in Nitrogen Doped GaPn-LPE Layer
    Beppu, Tatsuro
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 14 (1975-06-01), S. 761-768
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Effect of the Thermal Damage Introduced to GaAs Substrate during the GaAs, (AlGa)As LPE Process
    Horikoshi, Yoshiji ; Saito, Hideho
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 15 (1976-05-01), S. 761-768
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Impurity gettering effect in Pr2O3-Added InGaAs liquid phase epitaxy
    CHANG, L.-B ; WANG, T.-W ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 36 (1997), Heft 12A, S. 7264-7266
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Liquid-phase epitaxial growth of In0.35Ga0.65P on GaP substrates from Sn-rich solutions
    CHEN, L.-C ; WU, M.-C
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 36 (1997), Heft 9A, S. 5623-5627
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    High quality GaAs epitaxial layers grown from Ga-As-Bi solutions by liquid phase epitaxy
    SARAVANAN, S ; JEGANATHAN, K ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 36 (1997), Heft 6A, S. 3385-3388
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -