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    Preparation of phosphorus-doped microcrystalline silicon by mercury-sensitized photochemical vapor deposition process
    HIRAMATSU, M ; KAWAKYU, Y
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 36 (1997), Heft 6B, S. L754- (3S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Interfacial abruptness in Si/SiGe heteroepitaxy grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition
    TSAI, W.-C ; CHANG, C.-Y ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 36 (1997), Heft 9A, S. 5680-5687
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Effects of the addition of SiF4 to the SiH4 feed gas for depositing polycrystalline silicon films at low temperature
    SYED, M ; INOKUMA, T ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 36 (1997), Heft 11, S. 6625-6632
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Low temperature growth of amorphous and polycrystalline silicon films from a modified inductivelv coupled plasma
    GOTO, M ; TOYODA, H ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 36 (1997), Heft 6A, S. 3714-3720
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Preparation of high-quality undoped microcrystalline silicon with high deposition rate using mercury-sensitized photochemical vapor deposition method
    JAE HOON, JANG ; KOENG SU, LIM
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 35 (1996), Heft 11, S. 5625-5630
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Thickness dependence of H radical treatment of Si thin films deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition using SiF4/SiH4/H2 gases
    SHIRAFUJI, T ; KONDO, H ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 35 (1996), Heft 4A, S. 2047-2051
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Role of SiH4 gas heating in the growth of hydrogenated microcrystalline silicon
    ARAI, T ; SHIRAI, H
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 35 (1996), Heft 6A, S. L676- (4S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Microcrystalline silicon films deposited by electron cyclotron resonance plasma chemical vapor deposition using helium gas
    LEE, K. E ; LEE, W. H ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 35 (1996), Heft 10A, S. L1241- (4S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Initial stage of microcrystalline silicon growth by plasma-enhanced chemical vapor deposition
    ARAI, T ; NAKAMURA, T ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 35 (1996), Heft 9B, S. L1161- (4S.)
    academicJournal
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    Surface morphology and crystallite size during growth of hydrogenated microcrystalline silicon by plasma-enhanced chemical vapor deposition
    SHIRAI, H
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 34 (1995), Heft 2A, S. 450-458
    academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Substrate-dependent growth of polycrystalline silicon films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition using SiF4 and H2 gases
    KWANG-YEOL, CHOI ; CHANG WOO, LEE ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 34 (1995), Heft 9A, S. 4673-4676
    academicJournal
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    Semi-insulating polycrystalline silicon by low pressure chemical vapour deposition from disilane and nitrous oxide
    DEHAN, E ; PEDROVIEJO, J. J ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 34 (1995), Heft 9A, S. 4666-4672
    academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Role of hydrogen plasma during growth of hydrogenated microcrystalline silicon : in situ UV-visible and infrared ellipsometry study
    SHIRAI, H ; DREVILLON, B ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 33 (1994), Heft 10, S. 5590-5598
    academicJournal
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    Si quantum dot formation with low-pressure chemical vapor deposition
    NAKAJIMA, A ; SUGITA, Y ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 35 (1996), Heft 2B, S. L189- (3S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Atomic force microscopy investigation of tensile-stressed silicon grown by rapid thermal chemical vapour deposition on Si0.68Ge0.32 relaxed pseudo-substrates
    CHOLLET, F ; WARREN, P ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 33 (1994), Heft 12A, S. 6437-6442
    academicJournal
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    Nucleation of polycrystalline silicon grains
    MATSUO, N ; MIYOSHI, T ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 34 (1995), Heft 9A, S. 4970-4971
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Growth temperature window and self-limiting process in sub-atomic-layer epitaxy
    ISHIDA, M ; YAMASHITA, M ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 35 (1996), Heft 7, S. 4011-4015
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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