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    Low temperature growth of In<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> films via pulsed laser deposition with oxygen plasma.
    Pan, Chengyu ; Saito, Katsuhiko ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 60 (2021-05-01), Heft 5, S. 1-6
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Properties of Si-Doped $a$-Plane GaN Grown with Different SiH4Flow Rates
    Song, Keun Man ; Kim, Chang Zoo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 50 (2011-05-25), Heft 5, S. 55502-55504
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    High Quality, Low Cost Ammonothermal Bulk GaN Substrates
    Ehrentraut, Dirk ; Pakalapati, Rajeev T. ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 52 (2013-08-25), Heft 8, S. 8JA01- (4S.)
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Anisotropic electrical conductivity of surface-roughened semipolar GaN films by photochemical etching.
    Jang, Soohwan ; Lee, Sohyun ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 56 (2017-05-01), Heft 5, S. 1-1
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    The Effects of Substrate Surface Treatments on Growth of $a$-Plane GaN Single Crystals Using Na Flux Method
    Masumoto, Keiko ; Murakami, Kosuke ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 51 (2012-03-25), Heft 3, S. 35501-35504
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Growth and characterization of high quality AlN using combined structure of low temperature buffer and superlattices for applications in the deep ultraviolet.
    Kim, Jinwan ; Pyeon, Jaedo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 54 (2015-08-31), Heft 8, S. 1-1
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Anisotropic electrical conductivity of surface-roughened semipolar $(11\bar{2}2)$ GaN films by photochemical etching
    Jang, Soohwan ; Lee, Sohyun ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 56 (2017-05-01), Heft 5, S. 051001-51001
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Room-Temperature Epitaxial Growth of High-Quality $m$-Plane InAlN Films on Nearly Lattice-Matched ZnO Substrates
    Kajima, Tomofumi ; Kobayashi, Atsushi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 49 (2010-07-25), Heft 7, S. 70202-70203
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Properties of Si-Doped a-Plane GaN Grown with Different SiH4 Flow Rates.
    Song, Keun Man ; Kim, Chang Zoo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 50 (2011-05-01), Heft 5R, S. 1-1
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Room-Temperature Epitaxial Growth of High-Quality m-Plane InAlN Films on Nearly Lattice-Matched ZnO Substrates.
    Kajima, Tomofumi ; Kobayashi, Atsushi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 49 (2010-07-01), Heft 7R, S. 1-1
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Effect of Controlled Growth Dynamics on the Microstructure of Nonpolar a-Plane GaN Revealed by X-ray Diffraction.
    Sun, Qian ; Ko, Tsung-Shine ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 48 (2009-07-01), Heft 7R, S. 1-1
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Growth of High-Quality Epitaxial InN Film with High-Speed Reactant Gas by Organometallic Vapor-Phase Epitaxy
    Hwang, Jih-Sheng ; Yang, Fu-Hsiang ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 41 (2002-11-15), S. L1321- (4S.)
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Growth of low-threading-dislocation-density GaN on graphene by hydride vapor phase epitaxy.
    He, Shunyu ; Xu, Yu ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 56 (2017-03-01), Heft 3, S. 1-1
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Improved crystalline quality of N-polar GaN epitaxial layers grown with reformed flow-rate-modulation technology.
    Zhang, Heng ; Zhang, Xiong ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 56 (2017), Heft 1, S. 1-1
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Optical and Crystalline Properties of Epitaxial-Lateral-Overgrown-GaN Using Tungsten Mask by Hydride Vapor Phase Epitaxy
    Hiroki Sone, Hiroki Sone ; Shingo Nambu, Shingo Nambu ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 38 (1999-04-01), Heft 4, S. L356
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Crystal Orientation Fluctuation of Epitaxial-Lateral-Overgrown GaN with W Mask and SiO2Mask Observed by Transmission Electron Diffraction and X-Ray Rocking Curves
    Honda, Yoshiaki ; Iyechika, Yasushi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 38 (1999-11-01), Heft 11, S. L1299
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Improved crystalline quality of N-polar GaN epitaxial layers grown with reformed flow-rate-modulation technology
    Zhang, Heng ; Zhang, Xiong ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 56 (2017-10-01), Heft 1, S. 015501-15501
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Properties of Si-Doped a-Plane GaN Grown with Different SiH4 Flow Rates
    Kim, Hogyoung ; Keun Man Song ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 50 (2011-05-01), S. 055502-55502
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Room-Temperature Epitaxial Growth of High-Quality m-Plane InAlN Films on Nearly Lattice-Matched ZnO Substrates
    Fujii, Tomoaki ; Fujioka, Hiroshi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 49 (2010-07-01), S. 070202-70202
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Improvement of crystallinity of GaN layers grown using Ga2O vapor synthesized from liquid Ga and H2O vapor.
    Yamaguchi, Yohei ; Taniyama, Yuuki ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 55 (2016-05-15), Heft 5S, S. 1-1
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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